單晶磷化銦(InP)因其優(yōu)異的光電性能在光電領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。然而，由于應(yīng)用領(lǐng)域的特殊性，對(duì)其表面質(zhì)量的要求極為苛刻。InP固有的柔韌性與脆性的顯著差異為實(shí)現(xiàn)無損傷的高質(zhì)量表面帶來了巨大挑戰(zhàn)。 

9月26-28日，“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將于云南昆明舉辦。會(huì)議在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）指導(dǎo)下，由賽迪智庫集成電路研究所、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、云南大學(xué)、昆明理工大學(xué)等單位支持，云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)合主辦，云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。會(huì)議將圍繞新一代大尺寸半導(dǎo)體材料在功率半導(dǎo)體大規(guī)模制造過程中，關(guān)鍵工藝及裝備、器件設(shè)計(jì)與制造、關(guān)鍵材料、綠色廠務(wù)及產(chǎn)品開發(fā)與創(chuàng)新應(yīng)用，邀請(qǐng)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家、高?？蒲性核爸髽I(yè)代表共同深入探討，探尋功率半導(dǎo)體最新技術(shù)進(jìn)展，分享生產(chǎn)制造過程中全流程優(yōu)化方案，共促功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。 

屆時(shí)，昆明理工大學(xué)校聘副教授、云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司在職博士后鄧家云受邀將出席會(huì)議，并帶來《磷化銦晶圓力學(xué)性能與加工性能研究：理論計(jì)算、分子動(dòng)力學(xué)仿真、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證》的主題報(bào)告，從力學(xué)性能的各向異性理論計(jì)算、分子動(dòng)力學(xué)仿真、研磨實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證等多個(gè)方面探討不同晶面類型的各向異性及加工性能和損傷機(jī)制，系統(tǒng)揭示了磷化銦(InP)不同晶面((100)/(110)/(111))在研磨加工中的材料去除機(jī)制與表面質(zhì)量差異，敬請(qǐng)關(guān)注！

嘉賓簡(jiǎn)介

鄧家云，校聘副教授，碩士生導(dǎo)師，云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司，云南省“興滇英才”青年人才獲得者，云南省“彩云博士后”創(chuàng)新支持項(xiàng)目獲得者，2022年于廣東工業(yè)大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院獲工學(xué)博士學(xué)位并于同年以高層次引進(jìn)人才身份進(jìn)入學(xué)院工作。研究領(lǐng)域主要為半導(dǎo)體晶片超精密平坦化加工，主要包括超光滑平坦化加工設(shè)備的研制與開發(fā)、研磨加工、化學(xué)機(jī)械拋光加工機(jī)理及工藝優(yōu)化研究等。主持國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目1項(xiàng)，云南省基金面上項(xiàng)目2項(xiàng)，國重開放課題1項(xiàng)，發(fā)表高水平論文31篇，其中SCI論文24篇，EI論文3篇；申請(qǐng)/授權(quán)專利10項(xiàng)。目前，主要研究工作集中在學(xué)科交叉前沿，致力于研究單晶磷化銦、單晶藍(lán)寶石、單晶SiC、單晶GaN、單晶金剛石等半導(dǎo)體晶片的超精密平坦化加工(研磨、磨削、化學(xué)機(jī)械拋光)等，為我國攻克半導(dǎo)體芯片制造“卡脖子”難題提供有力技術(shù)支撐。 

昆明理工大學(xué)是云南省綜合性重點(diǎn)大學(xué)，是云南省規(guī)模最大、辦學(xué)層次和類別齊全的重點(diǎn)大學(xué)，現(xiàn)有工程學(xué)、材料等11個(gè)學(xué)科進(jìn)入ESI 排名全球前1%。報(bào)告人所在機(jī)電工程學(xué)院擁有云南省先進(jìn)裝備智能制造技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、云南省先進(jìn)裝備智能維護(hù)工程研究中心、云南省高校智能控制及應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室、云南省高校工業(yè)機(jī)器人技術(shù)工程研究中心等8個(gè)省廳級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和工程研究中心，并擁有光機(jī)電液系統(tǒng)集成與控制研究所、數(shù)字化設(shè)計(jì)與制造研究所、機(jī)器人技術(shù)創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)等10余個(gè)科研團(tuán)隊(duì)。學(xué)院在機(jī)械制造方面具有較強(qiáng)的研究力量，硬件設(shè)施完善齊備，研發(fā)場(chǎng)地充足，實(shí)驗(yàn)設(shè)備先進(jìn)豐富。報(bào)告人所在的機(jī)械工程學(xué)科擁有機(jī)械工程一級(jí)學(xué)科博士點(diǎn)、博士后科研流動(dòng)站，是云南省高校一流學(xué)科，在第五輪學(xué)科評(píng)估為B，進(jìn)入全國學(xué)科排位前20%，支撐工程學(xué)科進(jìn)入ESI 排名前1%。報(bào)告人所在的光機(jī)電液系統(tǒng)與先進(jìn)制造技術(shù)團(tuán)隊(duì)，現(xiàn)有教師17人(其中：教授4 人，副教授7人，13人具有博士學(xué)位)，在讀博士生5人、碩士生80余人。近五年新增主持國家自然科學(xué)基金8項(xiàng)，省部級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目10余項(xiàng)，企業(yè)委托項(xiàng)目5 項(xiàng)。擁有高性能服務(wù)器、日本精密化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)、單點(diǎn)金剛石車床、KD24BX平面精密研磨拋光機(jī)等超精密加工設(shè)備、白光干涉儀等檢測(cè)設(shè)備。 

報(bào)告人也是云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司(簡(jiǎn)稱云南鍺業(yè))在職博士后，合作導(dǎo)師為惠峰研究員(公司首席科學(xué)家、中科院半導(dǎo)體所研究員)和那靖教授(教育部長(zhǎng)江學(xué)者，國家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年科學(xué)基金獲得者)。云南鍺業(yè)及其控股子公司云南中科鑫圓晶體材料有限公司、云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司主要從事砷化鎵、磷化銦、銻化鎵、銻化銦、砷化銦等半導(dǎo)體材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是我國著名的III-V 族化合物半導(dǎo)體材料生產(chǎn)商和供應(yīng)商，是華為戰(zhàn)略投資入股企業(yè)，華為海思InP、GaAs產(chǎn)品配套的生產(chǎn)商和供應(yīng)商，是國內(nèi)最具有產(chǎn)業(yè)化實(shí)力III-V 族高端光電半導(dǎo)體材料研發(fā)平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線。目前在國內(nèi)擁有最大規(guī)模的III-V 族高端光電半導(dǎo)體材料研發(fā)平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線，涵蓋單晶生長(zhǎng)、晶片加工、晶片測(cè)試檢驗(yàn)等流程。公司技術(shù)中心于2010年被認(rèn)定為云南省企業(yè)技術(shù)中心，于2015年12月被認(rèn)定為國家級(jí)企業(yè)技術(shù)中心，2015 年與中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所成立“光電半導(dǎo)體材料聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，創(chuàng)建了以中國科學(xué)院院士、研究員等為核心的科研團(tuán)隊(duì)，建立了“產(chǎn)學(xué)研”創(chuàng)新平臺(tái)，具有雄厚的實(shí)力。先后承擔(dān)國家科技支撐計(jì)劃、國家863科技計(jì)劃課題、省市級(jí)科技計(jì)劃項(xiàng)目等十余項(xiàng)；先后獲得2014年度云南省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)、2011年、2015年兩次獲云南省標(biāo)準(zhǔn)化創(chuàng)新貢獻(xiàn)獎(jiǎng)、2011年度科技創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)、云南省科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)、全國半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)秀獎(jiǎng)等各級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)10余項(xiàng)。

報(bào)告前瞻

報(bào)告題目：磷化銦晶圓力學(xué)性能與加工性能研究：理論計(jì)算、分子動(dòng)力學(xué)仿真、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

報(bào)告摘要：單晶磷化銦(InP)因其優(yōu)異的光電性能在光電領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。然而，由于應(yīng)用領(lǐng)域的特殊性，對(duì)其表面質(zhì)量的要求極為苛刻。InP固有的柔韌性與脆性的顯著差異為實(shí)現(xiàn)無損傷的高質(zhì)量表面帶來了巨大挑戰(zhàn)。從力學(xué)性能的各向異性理論計(jì)算、分子動(dòng)力學(xué)仿真、研磨實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證等多個(gè)方面探討不同晶面類型的各向異性及加工性能和損傷機(jī)制，系統(tǒng)揭示了磷化銦(InP)不同晶面((100)/(110)/(111))在研磨加工中的材料去除機(jī)制與表面質(zhì)量差異。研究結(jié)果表明：(100)晶面的力學(xué)特性展現(xiàn)出良好的周期性和對(duì)稱性，而(110)晶面各向異性較明顯，(111)晶面則表現(xiàn)出各向同性；此外，揭示了不同晶面類型下原子位移、剪切應(yīng)變、位錯(cuò)和相變的分布情況，(100)、(110)和(111)晶面產(chǎn)生的損傷深度分別為壓痕深度的2倍、7倍和2.5倍，(100)晶面因連續(xù)切屑形成被預(yù)測(cè)為材料去除較大的晶面，表現(xiàn)出最高材料去除率(總?cè)コ蕿?/font>181.27μm/h)。表面質(zhì)量方面，在仿真過程中，(100)晶面原子塑性流動(dòng)較好，(110)晶面則需累積臨界切屑量后方可激活塑性流動(dòng)，(111)晶面塑性最差。通過表面形貌檢測(cè)發(fā)現(xiàn)，(100)晶面獲得最低粗糙度(Sa=2.126)，但因較多深劃痕導(dǎo)致其誤差波動(dòng)范圍較大；而(110)和(111)晶面因磨粒粒徑接近材料脆塑轉(zhuǎn)變臨界值，表面呈現(xiàn)崩碎現(xiàn)象。相關(guān)研究工作可以為InP晶圓的超精密加工工藝優(yōu)化提供理論依據(jù)，有效推動(dòng)半導(dǎo)體器件性能優(yōu)化。