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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應用

中國科學院微電子所團隊在高速串行接口芯片方面取得新進展

中國科大微電子學院胡詣哲教授課題組在極低抖動高速鎖相環(huán)芯片研究中取得重要突破

突破芯片散熱瓶頸！天津大學團隊研發(fā)全球最小高能效MEMS冷卻器

我國科學家在強磁場技術(shù)領域取得新突破

浙江大學團隊Nat.Commun.：量子點LED大突破！亮度翻倍，光效超國標，2035年照明技術(shù)提前實現(xiàn)！

新突破！我國成功研發(fā)蚊子大小仿生機器人

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深圳平湖實驗室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國際頂級學術(shù)會議ISPSD2025

復旦大學研究人員等在新型半導體表界面結(jié)構(gòu)與缺陷研究方面取得系列進展

浙江大學電氣工程學院PEDL團隊五項重要成果在功率器件頂級會議ISPSD發(fā)表

新成果！深圳大學在寬禁帶半導體功率器件領域取得突破性進展

集成電路學院功率集成技術(shù)實驗室第9次斬獲IEEE ISPSD 發(fā)表論文數(shù)全球第一

富加鎵業(yè)氧化鎵MOCVD同質(zhì)外延片性能再創(chuàng)新高

中國科大研制出一種全方向表面等離子體波照明器件

半導體所在植入式腦機接口器件研究方面取得新進展

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中科院蘇州納米所孫錢團隊與合作者在氮化鎵紫外探測領域取得新進展

科研成果|?高整流、超低漏p-Si/n-AlN異質(zhì)結(jié)PN二極管

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1250mW、BLG 展示創(chuàng)世界紀錄的單模 GaN 激光器

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實驗研究

中國科學院微電子所在碳硅三維異質(zhì)集成器件上取得進展

中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進展

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

連科半導體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術(shù)取得突破

中國科學院半導體所在二維陣列激光器方面取得重要進展

金剛石高溫日盲紫外探測器取得新進展

晶圓級高精度倒裝鍵合機采購招標公告

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