亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<pre id="oheqh"><input id="oheqh"><th id="oheqh"></th></input></pre>

<pre id="oheqh"><label id="oheqh"></label></pre><bdo id="oheqh"><span id="oheqh"></span></bdo>

<pre id="o8af8"><blockquote id="o8af8"></blockquote></pre>

<rp id="o8af8"><del id="o8af8"></del></rp>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

氮化鎵外延層中位錯輔助的電子和空穴傳輸研究取得進(jìn)展

采用金屬有機化學(xué)氣相沉積原位脈沖鋁原子輔助法生長的（001）β-Ga2O3外延層

廈門大學(xué)康俊勇教授團隊：人工智能無損表征技術(shù)，助力SiC晶體生長

香港科技大學(xué)開發(fā)高效結(jié)合III-V與硅的新集成技術(shù) 有助革新數(shù)據(jù)通信

簡述光電儲能系統(tǒng)如何幫助電動車實現(xiàn)快充

大阪大學(xué)、豐田合成等合作利用Na助熔劑法培育出世界上最大的6英寸高品質(zhì)GaN晶體

先進(jìn)碳化硅技術(shù)助力儲能系統(tǒng)

?Wolfspeed：先進(jìn)碳化硅技術(shù)，助力簡化半導(dǎo)體設(shè)備設(shè)計

CEVA憑借SensPro Sensor Hub DSP協(xié)助客戶有效實現(xiàn)傳感器融合

南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院研究團隊與華為合作成功研制智能表面新架構(gòu)助力5G網(wǎng)絡(luò)性能提升

【前沿技術(shù)】郭浩中教授團隊導(dǎo)入ALD技術(shù)，助力UVC LED突破技術(shù)難題

CFET結(jié)構(gòu)晶體管有助于2nm以下制程的新一代半導(dǎo)體技術(shù)

我國將在第十四個“五年計劃”里協(xié)助開發(fā)7nm工藝（2021-2025）

大口徑無曲翹！日本開發(fā)出有助于節(jié)能的氮化鎵單晶基板量產(chǎn)法

碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC助力降低5G基站成本

人工智能和新材料助力疫情防控

科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領(lǐng)先效率，助力新一代電動汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽能應(yīng)用創(chuàng)新

聯(lián)系客服投訴反饋頂部