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簡述功率半導(dǎo)體器件之IGBT技術(shù)及市場發(fā)展概況

廈大與黑龍江大學(xué)研究人員合作在有機光子器件及其集成領(lǐng)域取得重要進展

廈大研究團隊在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進展

簡述金剛石在 GaN 功率放大器熱設(shè)計中的應(yīng)用

湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進展

簡述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

內(nèi)置深度學(xué)習(xí)算法|OPT（奧普特）智能讀碼器精準(zhǔn)識碼

半導(dǎo)體所成功研制一款極低電壓低抖動低功耗頻率綜合器芯片

簡述碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)

簡述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進展

廈大研究團隊利用藍紫光LED泵浦實現(xiàn)雙波長放大的聚合物光波導(dǎo)放大器

簡述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

簡述選擇GaN或SiC器件的重點

簡述通過柵極驅(qū)動器提高開關(guān)電源功率密度

東南大學(xué)兩項研究成果發(fā)表于電子器件領(lǐng)域頂會IEDM

上海微系統(tǒng)所在碳化硅異質(zhì)集成材料與光子器件領(lǐng)域取得進展

蘇州納米所孫錢團隊研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

武漢大學(xué)袁超研究員：熱反射表征技術(shù)在寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域的應(yīng)用進展

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院朱顥研究團隊實現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進展

簡述電力電子中 IGBT 散熱器選型應(yīng)用

簡述第三代半導(dǎo)體材料和器件中的熱科學(xué)和工程問題

復(fù)旦大學(xué)研究團隊實現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體在壓電與射頻器件中的應(yīng)用

中科院物理所在集成有亞波長光柵的臺面型InGaAs基短波紅外偏振探測器取得進展

淺述GaN功率器件的發(fā)展

基于垂直架構(gòu)的新型二維半導(dǎo)體/鐵電多值存儲器取得進展

簡述國內(nèi)半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)該如何發(fā)展

簡述碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用

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