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中國科學院氮化鎵基無源太赫茲相控陣機制研究獲進展

科普系列 | 氮化鎵：開啟科技新時代的 “魔法材料”

蘇州納米所秦華團隊在氮化鎵基無源太赫茲相控陣機制研究方面取得進展

氮化鎵外延層中位錯輔助的電子和空穴傳輸研究取得進展

長春光機所聯(lián)合東方理工大學研究團隊在寬禁帶氮化物載流子動力學研究方面取得重要進展

蘇州納米所研制出氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器

北京大學王新強、王平、王濤團隊在纖鋅礦氮化物鐵電半導體研究上取得重要進展

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質量成核與生長難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導體異構集成掃清了關鍵障礙

深圳平湖實驗室成功制備國內首個氮化鋁/富鋁鎵氮高電子遷移率晶體管

南京大學團隊在國際功率半導體會議ISPSD上發(fā)布兩項宇航用氮化鎵功率器件輻照效應研究成果

中科院蘇州納米所孫錢團隊與合作者在氮化鎵紫外探測領域取得新進展

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

重磅發(fā)布｜九峰山實驗室GaN系列成果首次發(fā)布！

西安交大科研人員制備出全球首款六方氮化硼同質結深紫外LED芯片

浙江大學柯徐剛研究員團隊發(fā)布應用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的第三代半導體氮化鎵高效率智能供電芯片

香港科技大學陳敬教授課題組發(fā)布多項氮化鎵、碳化硅的最新研究進展

北大楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延材料中位錯的原子級攀移動力學研究上取得重要進展

脈沖模式下輸出功率超15 W的氮化鎵藍光激光器

王新強、王濤團隊在褶皺二維氮化鎵聲子研究中取得重要進展

英飛凌率先開發(fā)全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業(yè)變革

中國科學院半導體所在氮化物位錯演化機制及光電神經網絡器件研究領域取得新進展

我國攻克1200V以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產技術

西安電子科技大學攻克 1200V 以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產技術

名古屋大學天野浩團隊Nature發(fā)文：氮化鎵的2D-Mg摻雜現(xiàn)象

科學家提出傾斜臺階面外延生長菱方氮化硼單晶方法

中國科大孫海定教授和武大劉勝院士Nature Electronics封面論文: 發(fā)明新型氮化鎵光電二極管

北京大學申請p溝道氮化鎵異質結晶體管及其制備方法專利，實現(xiàn)電流密度的增加

中國科學院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質集成方面取得新進展

中科大孫海定教授Adv. Mater.: 構建雙極型氮化鎵PN結實現(xiàn)雙通道加密光通信應用

器件新突破！香港科技大學教授陳敬團隊成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點的實驗晶體管！

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