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東京大學研發(fā)“摻鎵氧化銦晶體”取代硅材料

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應用

中國科學院微電子所在碳硅三維異質集成器件上取得進展

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

聯(lián)合微電子中心研發(fā)硅光集成光纖陀螺芯片成功下線

12英寸碳化硅襯底實現(xiàn)激光剝離

香港科技大學陳敬教授課題組發(fā)布多項氮化鎵、碳化硅的最新研究進展

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

哈爾濱工業(yè)大學在碳化硅集成光量子糾纏器件領域取得新突破

中欣晶圓12英寸BCD硅片產品取得技術突破

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術極限并提高能效

九峰山實驗室再次在硅光子集成領域取得突破性進展

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術

基本半導體銅燒結技術在碳化硅功率模塊中的應用

呂堅院士團隊 l 3D打印莫來石增強的碳化硅氣凝膠復合材料

國內首款！2Tb/s三維集成硅光芯粒成功出樣

厚度達100 mm! 碳化硅單晶生長取得新進展

香港科技大學開發(fā)高效結合III-V與硅的新集成技術有助革新數(shù)據(jù)通信

碳化硅單晶襯底的常用檢測技術

廈大、華為合作，實現(xiàn)具有超低邊界熱阻的硅/多晶金剛石鍵合

器件新突破！香港科技大學教授陳敬團隊成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點的實驗晶體管！

中科院物理所陳小龍團隊：晶圓級立方碳化硅單晶生長取得突破

首個由石墨烯制成的功能半導體問世?電子遷移率是硅的10倍

石墨烯芯片制造領域，重要里程碑→

山東大學彭燕、徐現(xiàn)剛團隊在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復合襯底的進展

上海硅酸鹽所碳化硅陶瓷增材制造研究獲進展

工藝打通！九峰山實驗室全面啟動碳化硅（SiC）工藝技術服務

天津大學在硅基頻率源技術方面取得系列成果

研究稱芯片中的硅或可被新材料取代

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