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北京大學團隊成功研制無閾值電壓負漂
650
V/10A增強型GaN器件
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2025-05-22 18:32
北大團隊研發(fā)超低動態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于
650
0V
北
超低動態(tài)電阻
氮化鎵
高壓器件
耐壓
6500V
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2024-01-11 11:17
【成果轉化】6 英寸
650
V-1200V 碳化硅外延片---產業(yè)基礎領域先進技術產品轉化應用目錄 (推廣篇)(2021年度)》
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2022-08-11 17:10
科銳推出新型
650
V MOSFET，提供業(yè)界領先效率，助力新一代電動汽車、數據中心、太陽能應用創(chuàng)新
科銳
650V
MOSFET
效率
新一代
電動汽車
數據中心
太陽能
應用
創(chuàng)新
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2020-04-02 10:16
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