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內(nèi)置深度學習算法|OPT（奧普特）智能讀碼器精準識碼

半導體所成功研制一款極低電壓低抖動低功耗頻率綜合器芯片

東大科研團隊3篇論文入選第70屆“芯片設(shè)計國際奧林匹克會議”（ISSCC）

西安郵電大學重點實驗室成功制備高耐壓性能半導體材料

簡述HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進展

突破！中國科大研究團隊創(chuàng)造性開發(fā)出半導體材料激光直寫方法

臺灣中山大學突破6英寸碳化硅晶體生長！

半導體SERS基底非吸附分析物檢測獲進展

半導體所在激子-聲子的量子干涉研究中獲進展

簡述SiC碳化硅單晶的生長原理

從600塊降到10塊，中科院攻克重要芯片技術(shù)難關(guān)

簡述碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)

半導體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展帶動下 PBN（熱解氮化硼）市場需求空間廣闊

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管

簡述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究

中科院研發(fā)銅摻雜p型半導體材料，可印制1-20nm厚的二維薄膜材料

南科大電子系化夢媛團隊揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機理及應(yīng)用

北京大學在氧化物半導體器件方向取得系列重要進展

簡述影響 MPCVD 法制備金剛石質(zhì)量的因素研究

簡述Ir襯底上金剛石半導體異質(zhì)外延生長技術(shù)與機理研究進展

簡述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

廈大研究團隊利用藍紫光LED泵浦實現(xiàn)雙波長放大的聚合物光波導放大器

華中科技大學又一篇Science

東大團隊研究成果榮膺2022年度“中國半導體十大研究進展”

簡述氮化鎵的合成制備及展望

2022年度中國半導體十大研究進展

簡述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

清華大學研究組在低維半金屬半導體接觸研究中取得進展

上海光機所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究進展

簡述選擇GaN或SiC器件的重點

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