亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<pre id="oheqh"><input id="oheqh"><th id="oheqh"></th></input></pre>

<pre id="oheqh"><label id="oheqh"></label></pre><bdo id="oheqh"><span id="oheqh"></span></bdo>

<pre id="qvivc"><label id="qvivc"></label></pre>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

簡述通過柵極驅動器提高開關電源功率密度

長春應化所在晶態(tài)有機發(fā)光二極管研究中取得重要進展

東南大學兩項研究成果發(fā)表于電子器件領域頂會IEDM

廈大課題組在有機半導體空穴傳輸材料領域取得系列進展

山東省新一代半導體技術與系統(tǒng)等重點實驗室批準建設

俄亥俄州立大學的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

上海微系統(tǒng)所在碳化硅異質集成材料與光子器件領域取得進展

中國科大在低維光伏材料點缺陷性質研究中取得新進展

清華大學研究團隊合作利用激光加工氮化硼實現(xiàn)大規(guī)模高性能量子光源

氮化鎵柵極驅動專利：RC負偏壓關斷專利技術之臺達電子篇

淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)

硅基氮化鎵Micro-LED，實現(xiàn)高速可見光通信信號探測

西安交大提出“仿生門控”柔性傳感新模式

重要發(fā)現(xiàn)！3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導熱材料的選擇

簡述低電感ANPC拓撲結構集成新型950V IGBT和二極管技術

蘇州納米所孫錢團隊研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

東風汽車碳化硅功率模塊將于2023年實現(xiàn)量產

武漢大學袁超研究員：熱反射表征技術在寬禁帶半導體材料和器件領域的應用進展

SiC工藝之質子注入缺陷抑制技術解決碳化硅層錯難題

復旦大學微電子學院朱顥研究團隊實現(xiàn)低功耗負量子電容場效應晶體管器件

復旦大學研究團隊合作發(fā)明晶圓級硅基二維互補疊層晶體管

中國科大在氧化鎵半導體器件領域取得重要進展

GAA 晶體管繼任者？復旦大學團隊公布CFET新進展！

簡述電力電子中 IGBT 散熱器選型應用

上海微系統(tǒng)所在硅基碳化硅異質集成XOI材料領域取得重要進展

國產4英寸氧化鎵晶圓襯底技術獲突破！

湖南大學半導體學院在二維半導體超薄介電層集成技術研究取得重要進展

補盲激光雷達，角分辨率越小越好嗎？

武漢大學課題組在寬禁帶半導體熱表征領域發(fā)表綜述文章

充足的激光雷達視場要多大？補盲激光雷達視場覆蓋大揭秘！

第16頁/共36頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<pre id="hpxho"></pre>

<button id="hpxho"></button>