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CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道會(huì)：面向車(chē)規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)

最新報(bào)告嘉賓公布！2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD2025）

CSPSD 2025前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：GaN功率器件動(dòng)態(tài)電阻與動(dòng)態(tài)閾值電壓

CSPSD 2025前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)周賢達(dá)：功率MOSFET的非嵌位感性開(kāi)關(guān)

CSPSD 2025前瞻|熾芯微電子朱正宇：功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

丹佛斯南京功率模塊園區(qū)正式啟用總投資超8億元

納微半導(dǎo)體推出全新SiCPAK?功率模塊

重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專(zhuān)利，提高開(kāi)關(guān)速度與線性區(qū)能力

捷捷微電：6英寸功率半導(dǎo)體項(xiàng)目正處于產(chǎn)能爬坡期，月產(chǎn)出已達(dá)5萬(wàn)片

總投資5100余萬(wàn) 芯盟高等級(jí)功率半導(dǎo)體廠房竣工

三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專(zhuān)利公布

2025JFSC平行論壇5丨功率電子技術(shù)，精彩議題搶先看

意法半導(dǎo)體推出完整的低壓高功率電機(jī)控制參考設(shè)計(jì)

英飛凌科技申請(qǐng)功率半導(dǎo)體器件相關(guān)專(zhuān)利，提升功率半導(dǎo)體器件性能

納微與兆易創(chuàng)新達(dá)成戰(zhàn)略合作，打造智能、高效、高功率密度的數(shù)字電源解決方案

士蘭微基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預(yù)計(jì)將于2025年上量

黑龍江匯芯半導(dǎo)體申請(qǐng)集成有SiC功率器件短路保護(hù)的智能功率模塊專(zhuān)利，短路保護(hù)精度和效率更高

中微創(chuàng)芯突破 “卡脖子” 技術(shù)！國(guó)產(chǎn)化逆導(dǎo) IGBT 功率模塊通過(guò)科技查新，打破國(guó)外壟斷！

魯晶半導(dǎo)體與山東大學(xué)共建碳化硅功率器件產(chǎn)學(xué)研合作新生態(tài)

聞泰科技：公司預(yù)計(jì)包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開(kāi)始逐步放量

標(biāo)準(zhǔn) | “基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法”征求意見(jiàn)

華北電力大學(xué)壓接型IGBT功率循環(huán)及性能測(cè)試試驗(yàn)平臺(tái)采購(gòu)項(xiàng)目公開(kāi)招標(biāo)公告

會(huì)議通知| 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）將于5月22-24日在南京召開(kāi)

超高壓碳化硅大功率芯片項(xiàng)目簽約

超高壓碳化硅大功率芯片項(xiàng)目成功簽約！

安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本

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