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【IFWS2024】碳化硅功率器件及其封裝技術分會日程出爐

睿勵科學儀器完成近5億元戰(zhàn)略融資

【IFWS2024】化合物半導體激光器技術及應用分會日程公布

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南京南瑞半導體申請溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過早擊穿燒毀

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飛锃半導體申請半導體結構及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權

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光谷機器人生態(tài)創(chuàng)新中心啟動，首批高校和企業(yè)入駐

IFWS2024：氮化鎵射頻電子器件與應用分會日程出爐

合肥晶合集成電路申請一種半導體器件的制作方法專利，能夠提高半導體器件的性能

無錫博通申請半橋GaN增強型開關器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關

氮化鎵射頻電子器件與應用分會日程出爐 | IFWS2024 前瞻

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一文解開遠山氮化鎵功率器件實現(xiàn)耐高壓的秘密

德州儀器新氮化鎵工廠投產(chǎn)

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機器視覺千億藍海爆發(fā)，華漢偉業(yè)憑什么引領行業(yè)革新？

士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目預計2025年試生產(chǎn)

遠山半導體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）建設項目竣工投產(chǎn)

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格蘭菲申請功率半導體器件結構及其制備方法專利，有利于終端區(qū)面積縮小

漢道精密制造年產(chǎn)1.8億件半導體元器件項目開工奠基

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