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中芯國際申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能

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總投資2億元！江蘇長光時(shí)空高性能激光芯片項(xiàng)目投產(chǎn)

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納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請 GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

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聯(lián)合微電子中心取得一種半導(dǎo)體器件專利，提升半導(dǎo)體器件性能

飛锃半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

合肥晶合集成電路申請一種半導(dǎo)體器件的制作方法專利，能夠提高半導(dǎo)體器件的性能

廣東氣派科技申請 MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)專利，采用封裝結(jié)構(gòu)得到的 MOSFET 散熱性能佳

總投資310億元，星柯先進(jìn)光電顯示產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目高性能載板一號(hào)廠房主體封頂

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上海壁仞科技取得封裝結(jié)構(gòu)專利，提高散熱性能

揚(yáng)杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

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江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關(guān)專利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

蘇州晶湛半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體外延層的性能

英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊，適用于功率高達(dá) 4 千瓦的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

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華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

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