亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<pre id="oheqh"><input id="oheqh"><th id="oheqh"></th></input></pre>

<pre id="oheqh"><label id="oheqh"></label></pre><bdo id="oheqh"><span id="oheqh"></span></bdo>

<pre id="ubzg1"><label id="ubzg1"></label></pre>

<i id="ubzg1"></i>

<bdo id="ubzg1"><span id="ubzg1"></span></bdo>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

鎵未來推出圖騰柱PFC+LLC量產(chǎn)電源方案：內(nèi)置氮化鎵，700W輸出效率高

東芝推出采用最新一代工藝150V N溝道功率MOSFET大幅提高電源效率

時創(chuàng)意推出新一代eMMC嵌入式閃存

國產(chǎn)手機廠商紛紛推出自研芯片

大連芯冠推出兩款新一代氮化鎵功率器件

分析師郭明錤：蘋果或推出一款采用氮化鎵技術(shù)的30W電源適配器

民德電子：公司將基于自主可控的供應(yīng)鏈，逐步推出IGBT等新產(chǎn)品

國內(nèi)首條！昕原半導(dǎo)體28/22nm ReRAM 12寸芯片生產(chǎn)線推出

南方電網(wǎng)推出國產(chǎn)電力專用芯片“伏羲”：基于自主 CPU 內(nèi)核和封測技術(shù)

東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊，助力實現(xiàn)尺寸更小效率更高的工業(yè)設(shè)備

捷捷微電：近期推出的十三款車規(guī)級功率MOSFET 部分產(chǎn)品已在新能源車上實現(xiàn)車用

聞泰科技：安世半導(dǎo)體推出領(lǐng)先性能的氮化鎵功率器件 (GaN FET)

英特爾推出第二代神經(jīng)擬態(tài)研究芯片Loihi 2

國星光電：近期公司推出3大系列第三代半導(dǎo)體新產(chǎn)品

三星2022年量產(chǎn)3納米，2納米2025年推出

盛美半導(dǎo)體推出的300mm晶圓單片SPM設(shè)備已交貨

羅德與施瓦茨推出結(jié)合EDA 仿真與硬件測試的R&S VSESIM-VSS

上微推出新一代先進(jìn)封裝光刻機

國星光電：公司近期推出的第三代半導(dǎo)體新品GaN-DFN器件可應(yīng)用于新能源汽車充電、手機快充等

賽微電子：已推出數(shù)款GaN功率芯片產(chǎn)品并進(jìn)入小批量生產(chǎn)

Microchip推出新型中等帶寬FPGA器件，實現(xiàn)邊緣計算系統(tǒng)功率和性能的飛躍

德國半導(dǎo)體巨頭英飛凌推出MEMS光學(xué)模組可深度應(yīng)用于AR領(lǐng)域

傳OPPO、vivo即將推出自研芯片

伏達(dá)半導(dǎo)體推出100W單芯片快充芯片

富士康將在年內(nèi)推出首款純電車型

英特爾發(fā)力RISC-V芯片代工：推出7nm工藝SiFive P550開發(fā)平臺“Horse Creek”

Eggtronic推出基于GaN的電動汽車無線充電技術(shù)

意法半導(dǎo)體推出高性能GaN系列！面向汽車應(yīng)用、可靠性更高

年收300億量產(chǎn)400G硅光模塊推出國內(nèi)首臺3.2T CPO 工作樣機，它是亨通

Dialog半導(dǎo)體公司推出業(yè)內(nèi)功耗最低的閃存器件，進(jìn)一步豐富其IoT產(chǎn)品組合

第5頁/共13頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<center id="rksih"><optgroup id="rksih"></optgroup></center>

<bdo id="rksih"></bdo>

<bdo id="rksih"><span id="rksih"><meter id="rksih"></meter></span></bdo>

<pre id="rksih"><label id="rksih"></label></pre>