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總投資16.8億元，氧化鎵高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目主體建筑封頂！

鎵仁半導體實現(xiàn)晶圓級6英寸斜切氧化鎵襯底制備

國家重點研發(fā)計劃“氧化鎵單片功率電子集成器件研究”項目啟動會暨實施方案論證會成功召開

浙江大學團隊多項碳化硅、氧化鎵相關(guān)研究成果閃耀IEEE ISPSD 2025

廣州拓諾稀科技氧化鎵外延項目即將投產(chǎn)

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長及材料特性研究

鎵仁半導體與德國NextGO.Epi攜手，推動氧化鎵應用

CSPSD 2025前瞻|中國科學技術(shù)大學徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|九峰山實驗室袁?。盒滦投嗉墱喜?span id="5xhrl4v" class="highlight">氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學葉建東：氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件

蘇州無熱芯陽半導體申請新型襯底及其氧化物半導體場效應晶體管專利

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見證半導體產(chǎn)業(yè)新突破

鎵仁半導體董事長張輝：大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶材料進展 | CASICON重慶站

CASICON重慶站：全面聚焦氮化鎵、氧化鎵、金剛石功率半導體技術(shù)及應用發(fā)展

一批半導體項目簽約衢州涉及氧化鎵、氮化鋁單晶襯底等

鎵仁半導體成功制備VB法(非銥坩堝)4英寸氧化鎵單晶

杭州鎵仁半導體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實現(xiàn)2400V增強型晶體管

長光華芯“一種釋放氧化應力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權(quán)

上海瑞華晟申請SiC/SiC復合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

鎵和半導體李山：氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究

張道華院士：超寬禁帶半導體氧化鎵和氮化鋁特性研究

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗證

鎵仁半導體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸氧化鎵單晶

杭州鎵仁半導體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

鎵仁半導體推出氧化鎵專用長晶設(shè)備

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工

鎵仁半導體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底

總投資8.97億！雅克科技擬建設(shè)球形硅微粉、球形氧化鋁項目

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