亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<pre id="oheqh"><input id="oheqh"><th id="oheqh"></th></input></pre>

<pre id="oheqh"><label id="oheqh"></label></pre><bdo id="oheqh"><span id="oheqh"></span></bdo>

<style id="jh7j7"><meter id="jh7j7"><cite id="jh7j7"></cite></meter></style>

<bdo id="jh7j7"><span id="jh7j7"></span></bdo>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

英諾賽科推出高集成半橋驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率芯片ISG3201

IFWS 前瞻：氮化鎵功率電子器件分會(huì)日程出爐

山東大學(xué)4英寸HVPE氮化鎵單晶生長(zhǎng)爐采購(gòu)競(jìng)爭(zhēng)性磋商公告

簡(jiǎn)述氮化鎵的主要應(yīng)用領(lǐng)域

IFWS 前瞻：氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù)分會(huì)日程出爐

中國(guó)電科46所氮化鋁單晶材料關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破

港府：發(fā)展半導(dǎo)體芯片并非走他人老路，第三代氮化鎵芯片是全球新趨勢(shì)

快訊|奧趨光電成功制備出高質(zhì)量3英寸氮化鋁單晶

CASA發(fā)布T/CASAS 022-2022 三相智能電表用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范

第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體完成數(shù)億元C輪融資

GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供貨商Transphorm拓展中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù)，擴(kuò)大氮化鎵應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室

長(zhǎng)光華芯聯(lián)合中科院蘇州納米所共建“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”

蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院、中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”揭牌成立

世界先進(jìn)宣布0.35微米650 V氮化鎵制程進(jìn)入量產(chǎn)

納微氮化鎵（GaN）半橋功率芯片專利布局解讀

深圳智芯微電子牽頭起草的《三相智能電表用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)已形成委員會(huì)草案

宏光半導(dǎo)體氮化鎵功率器件外延片產(chǎn)品正式投產(chǎn)

華清電子材料實(shí)現(xiàn)了超大尺寸高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷加熱底盤的突破

IFWS 2022前瞻：氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延

千里新材高性能氮化硅制品產(chǎn)業(yè)化及總部基地項(xiàng)目開工

格芯獲得 3000 萬美元政府資金用于氮化鎵 GaN 芯片生產(chǎn)

上海出臺(tái)措施發(fā)展展壯大未來產(chǎn)業(yè)集群推動(dòng)碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體化合物發(fā)展

IFWS 2022前瞻：氮化鎵功率電子材料與器件技術(shù)新進(jìn)展

深圳智芯微牽頭T/CASAS 022《三相智能電表用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》征求意見

第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)剖析

宏光半導(dǎo)體與協(xié)鑫集團(tuán)擬于氮化鎵功率芯片在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用開展密切合作

氮化物寬禁帶半導(dǎo)體企業(yè)中博芯宣布完成Pre-A輪融資

氮化鎵功率芯片廠商納微半導(dǎo)體收購(gòu)SiC公司GeneSiC 加速在電動(dòng)汽車等領(lǐng)域擴(kuò)張

英諾賽科：建立氮化鎵生態(tài)的時(shí)機(jī)已經(jīng)到來

蘇州納維總部大樓榮耀封頂！預(yù)計(jì)年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片以上

第7頁/共13頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部