亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<pre id="oheqh"><input id="oheqh"><th id="oheqh"></th></input></pre>

<pre id="oheqh"><label id="oheqh"></label></pre><bdo id="oheqh"><span id="oheqh"></span></bdo>

<td id="hzig0"></td>

<rp id="hzig0"></rp>

<span id="hzig0"></span>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

總投資1.5億元諾天碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備與基材生產(chǎn)基地項目正式投產(chǎn)

氮矽科技推出TOLL封裝的增強型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

投資2.2億元！基本半導(dǎo)體年產(chǎn)百萬只碳化硅模塊封裝產(chǎn)線獲批

投資1.5億元諾天碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備與基材生產(chǎn)基地項目投產(chǎn)

兩項碳化硅標準，立項！

晶盛機電獲得發(fā)明專利授權(quán)：“碳化硅晶錠激光切割方法及切割系統(tǒng)”

矽磊電子深耕射頻微波芯片市場，實現(xiàn)“化合物基+硅基+SiP”全國產(chǎn)化替代

晶盛機電旗下求是創(chuàng)芯12英寸常壓硅外延設(shè)備順利交付

浙江大學(xué)團隊多項碳化硅、氧化鎵相關(guān)研究成果閃耀IEEE ISPSD 2025

上海超硅年虧損13億IPO獲受理，擬募資49.65億擴建產(chǎn)能

芯聚能自主碳化硅主驅(qū)芯片成功搭載整車，樹立國產(chǎn)車規(guī)功率半導(dǎo)體新標桿！

鈞聯(lián)電子完成近億元A輪融資，用于建設(shè)碳化硅功率模塊產(chǎn)線

采用碳化硅革新電力電子技術(shù)，開拓可持續(xù)解決方案

從8英寸量產(chǎn)到12英寸突破！合盛硅業(yè)全鏈條攻克SiC核心技術(shù)再攀高峰！

Wolfspeed擬申請破產(chǎn)后，瑞薩解散碳化硅團隊！

兩大巨頭退出碳化硅市場環(huán)球晶、漢磊、嘉晶迎轉(zhuǎn)單

全國最大碳化硅晶圓廠在光谷投產(chǎn)，每年可為144萬輛新能源車供應(yīng)“心臟”

瀚薪科技浙江麗水碳化硅封測項目主體結(jié)構(gòu)封頂

A-STAR推出全球首個工業(yè)級200毫米碳化硅開放研發(fā)生產(chǎn)線

國產(chǎn)碳化硅企業(yè)基本半導(dǎo)體，遞表港交所！

瀚薪科技浙江麗水碳化硅封測項目主體結(jié)構(gòu)封頂

CSPSD2025 | 二十余位專家學(xué)者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進展！

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

總投資55億！碳化硅產(chǎn)業(yè)園項目落地內(nèi)蒙古

滬硅產(chǎn)業(yè)披露重組草案，70.4億收購三公司股權(quán)

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進展

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究

CSPSD 2025前瞻|浙江大學(xué)王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補償技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓：基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測量方法研究

第2頁/共43頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<bdo id="quze2"><span id="quze2"><meter id="quze2"></meter></span></bdo>

<center id="quze2"></center>

<pre id="quze2"></pre>

<pre id="quze2"><label id="quze2"></label></pre>