亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<pre id="oheqh"><input id="oheqh"><th id="oheqh"></th></input></pre>

<pre id="oheqh"><label id="oheqh"></label></pre><bdo id="oheqh"><span id="oheqh"></span></bdo>

<source id="af5y8"><acronym id="af5y8"><dfn id="af5y8"></dfn></acronym></source>

<bdo id="af5y8"><span id="af5y8"></span></bdo>

<bdo id="af5y8"><span id="af5y8"></span></bdo>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

迎接GaN的市場！奧?？萍?span id="fk9ibh5" class="highlight">GaN 30W/45W/65W產(chǎn)品均已進(jìn)入試產(chǎn)階段

奧海科技：GaN 30W/45W/65W產(chǎn)品均已進(jìn)入試產(chǎn)階段

【NAURA Power GO】日新奮進(jìn)，北方華創(chuàng)助力硅基GaN器件發(fā)展

SiC和GaN功率半導(dǎo)體將并駕齊驅(qū)，國產(chǎn)替代將是未來發(fā)展方向

傳蘋果正和激光雷達(dá)供應(yīng)商談判，或采用GaN?

資本加速涌入SiC和GaN領(lǐng)域

積極布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，華微電子邁進(jìn)發(fā)展快車道

SiC基GaN射頻器件：國防航天航空之利器

意法半導(dǎo)體推出了新系列雙非對(duì)稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品

日本研發(fā)基于GaN的MEMS諧振器可用于車載應(yīng)用

鎢觸點(diǎn)改善了 GaN 二極管

蘋果將推出 GaN 電源適配器？

沙特阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學(xué)Iman S. ROQAN：原位無位錯(cuò)多晶GaN層在寬范圍襯底上生長高效率的無催化劑GaN納米線

中山大學(xué)黎城朗：凹槽深度對(duì)GaN槽柵型縱向?qū)ňw管電學(xué)特性的影響研究

電子科技大學(xué)教授周琦：基于超薄勢壘AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)與混合陽極二極管技術(shù)的功率整流器與微波混頻器

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所周宇：硅基GaN增強(qiáng)型HEMT電力電子器件

南方科技大學(xué)于洪宇：Si基GaN功率器件及其上電源系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

西安電子科技大學(xué)李楊：用于無線充電和功率傳輸?shù)幕?span id="kjg89if" class="highlight">GaN肖特基勢壘二極管的微波整流器

南方科技大學(xué)汪青：Si基GaN射頻器件的關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

中電化合物半導(dǎo)體唐軍：SiC基GaN射頻材料熱阻研究進(jìn)展

復(fù)旦大學(xué)田朋飛：基于GaN的可用于固態(tài)照明、顯示和雙向可見光通信的多功能器件

深圳大學(xué)劉新科：大面積MoS2-on-GaN范德華異質(zhì)結(jié)的光子器件應(yīng)用

廈門三安光電張中英:UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新進(jìn)展

南京大學(xué)劉斌：具有GaN隧道結(jié)的高效率綠光微型LEDs的PA-MBE制備

天津工業(yè)大學(xué)于莉媛：GaN基器件電子輻照誘生缺陷表征和性能分析

美國康奈爾大學(xué)Huili Grace XING:GaN電力電子及其基本極限

英諾賽科駱薇薇：時(shí)代 “芯”機(jī) “GaN”想“GaN”干

2027年全球GaN半導(dǎo)體器件市場規(guī)模預(yù)計(jì)或?qū)⑦_(dá)408億元

提速5G商用化江蘇省攻關(guān)“氮化鎵（GaN）毫米波功率放大器”芯片！

2020年全球GaN充電器市場規(guī)模將達(dá)23億元

第11頁/共12頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部