亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<pre id="oheqh"><input id="oheqh"><th id="oheqh"></th></input></pre>

<pre id="oheqh"><label id="oheqh"></label></pre><bdo id="oheqh"><span id="oheqh"></span></bdo>

<pre id="v07az"><label id="v07az"></label></pre>

<bdo id="v07az"><pre id="v07az"><meter id="v07az"></meter></pre></bdo>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

中芯國際申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能

黑龍江匯芯半導(dǎo)體申請集成有SiC功率器件短路保護(hù)的智能功率模塊專利，短路保護(hù)精度和效率更高

北方華創(chuàng)“晶舟結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體熱處理設(shè)備及其控制方法”專利公布

江西譽鴻錦取得亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法專利

蘇州無熱芯陽半導(dǎo)體申請新型襯底及其氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管專利

鎵特半導(dǎo)體取得一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器專利，能夠提升氮化鎵晶圓片生長尺寸

天科合達(dá)申請在坩堝內(nèi)部放置石墨件來提升碳化硅粉料利用率的專利，能夠明顯提高原料利用率

山東晶鎵申請一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法專利，提高了氮化鎵晶圓的拋光效率

江蘇超芯星半導(dǎo)體申請一種 8 英寸碳化硅晶圓單面拋光方法專利，顯著降低生產(chǎn)成本

安徽格恩半導(dǎo)體申請氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器專利，提升遠(yuǎn)場圖像FFP質(zhì)量、光束質(zhì)量因子和激光相干性

上海光通信申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，縮小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)線寬提高器件密度

泰科天潤“一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

中芯北方取得半導(dǎo)體器件及其形成方法專利

廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應(yīng)用中的可靠性

蘇州創(chuàng)芯致尚取得一種SIC MOSFET芯片生產(chǎn)用切割裝置專利，提高切割穩(wěn)定性和精準(zhǔn)度

江西兆馳半導(dǎo)體取得用于藍(lán)寶石襯底的清洗裝置專利，方便收集清洗后的廢液

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

格力電器獲得發(fā)明專利授權(quán)：“IGBT模塊保護(hù)裝置、IGBT模塊及變頻器”

廈門市三安集成電路有限公司取得氮化鎵半導(dǎo)體器件專利，防水汽侵蝕能力較高

英飛凌科技申請功率半導(dǎo)體模塊裝置及其制作方法專利，實現(xiàn)材料固化形成固體層等操作

北方華創(chuàng)申請工藝腔室及半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利，雙重密封提高射頻線圈處的密封性

長飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請功率器件及相關(guān)專利，降低功耗

新微半導(dǎo)體“垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)及其校驗方法”專利公布

日月光半導(dǎo)體取得一種封裝結(jié)構(gòu)專利，簡化了制造工藝

長園半導(dǎo)體設(shè)備取得芯片取料裝置和芯片生產(chǎn)系統(tǒng)專利，有效提高產(chǎn)品從膜片上取料的成功率

格至達(dá)智能取得IGBT功率模塊專利，保證可靠性和耐用性

比亞迪半導(dǎo)體“存儲器測試方法、存儲器測試裝置、存儲介質(zhì)和電子設(shè)備”專利公布

北方華創(chuàng)“上電極裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備”專利公布

格恩半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體激光器封裝模組專利，降低激光器芯片的熱失配和溫升幅度

紫光同芯“一種SGT器件及其制備方法”專利公布

第2頁/共12頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部