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華為申請(qǐng)?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

鄭州勢(shì)壘取得用于金剛石生長(zhǎng)的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

廣東中圖半導(dǎo)體申請(qǐng)高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問(wèn)題

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

上海瑞華晟申請(qǐng)SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長(zhǎng)加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問(wèn)題，提高產(chǎn)量

浙之芯申請(qǐng)一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

蘇州立琻半導(dǎo)體申請(qǐng)p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)檢測(cè)晶圓位置的專利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進(jìn)行

浙江睿熙申請(qǐng) VCSEL 集成晶圓及其制造方法專利，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)別集成

森國(guó)科申請(qǐng) MOSFET 結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，降低飽和電流

上海燁映微電子申請(qǐng) GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開(kāi)關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

華虹半導(dǎo)體申請(qǐng)集成半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

泰科天潤(rùn)“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

芯聯(lián)集成“一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利公布

新美光“襯底加熱體組件及化學(xué)氣相沉積設(shè)備”專利獲授權(quán)

泰科天潤(rùn)“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

湖南三安半導(dǎo)體申請(qǐng)功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

昕感科技申請(qǐng)一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯(cuò)率

廣東巨風(fēng)半導(dǎo)體取得IGBT模塊專利，提高模塊性能

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長(zhǎng)裝置專利，提高晶體生長(zhǎng)速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

北方華創(chuàng)“工藝氣體噴嘴及半導(dǎo)體工藝腔室”專利公布

聯(lián)合微電子中心取得一種半導(dǎo)體器件專利，提升半導(dǎo)體器件性能

芯導(dǎo)電子“一種靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)及制備方法、半導(dǎo)體器件及制備方法”專利公布

聯(lián)華電子申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其形成方法專利，具有特定的結(jié)構(gòu)和元件排列

華虹半導(dǎo)體“低壓超結(jié)MOSFET的工藝方法”專利公布

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