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CSPSD 2025前瞻|熾芯微電子朱正宇：功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

MaM發(fā)表深圳大學(xué)劉新科團(tuán)隊綜述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技術(shù)

黑龍江匯芯半導(dǎo)體申請集成有SiC功率器件短路保護(hù)的智能功率模塊專利，短路保護(hù)精度和效率更高

魯晶半導(dǎo)體與山東大學(xué)共建碳化硅功率器件產(chǎn)學(xué)研合作新生態(tài)

聞泰科技：公司預(yù)計包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

西電張進(jìn)成教授等在金剛石高壓功率器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

泰克科技張欣：新型功率器件的特性表征?|CASICON重慶站

報告前瞻| 陽光電動力萬富翔：新一代功率器件并聯(lián)技術(shù)在電驅(qū)系統(tǒng)的應(yīng)用

CASA立項《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

長飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請功率器件及相關(guān)專利，降低功耗

我國在太空成功驗證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

總投資10億元，芯瓷科技半導(dǎo)體功率器件用DPC陶瓷基板項目投產(chǎn)

世界首個采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投運

昌龍智芯半導(dǎo)體功率器件項目投資超5億元

行業(yè)Top級廠商齊聚功率器件展區(qū)！CSE 2025等您來探！

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產(chǎn)基地項目首批設(shè)備正式進(jìn)場

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進(jìn)展

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)（二）|IFWS&SSLCHINA2024

碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)發(fā)展探討（一）|IFWS&SSLCHINA2024

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

平湖實驗室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術(shù) | IFWS&SSLCHINA2024

國宇電子功率器件項目簽約揚州

湖南三安半導(dǎo)體申請功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

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