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前沿科技 | 無需半導(dǎo)體材料的電子器件問世

富特科技：已實(shí)現(xiàn)SiC半導(dǎo)體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應(yīng)用，且應(yīng)用技術(shù)已相對成熟

華潤微“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布

中國科大在鈣鈦礦軟X射線探測器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目預(yù)計(jì)2025年試生產(chǎn)

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遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）建設(shè)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)

米家智能小家電拆解匯總：小米的元器件供應(yīng)商都有哪些？

至芯半導(dǎo)體取得重大突破，推出高光效UV器件

Nature | 康奈爾大學(xué)：光電功能器件最新突破

格蘭菲申請功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有利于終端區(qū)面積縮小

中國科大微電子學(xué)院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進(jìn)展

中科院微電子所在GaN器件研究方面取得重要進(jìn)展

漢道精密制造年產(chǎn)1.8億件半導(dǎo)體元器件項(xiàng)目開工奠基

忱芯科技申請?zhí)蓟韫β拾雽?dǎo)體器件的驅(qū)動板和測試方法專利

【南昌光電博覽會】聚焦半導(dǎo)體光電裝備、材料、器件及工藝發(fā)展

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

元器件采購商不想被坑？認(rèn)準(zhǔn)這一招！

中國科大在仿生光電神經(jīng)感知器件領(lǐng)域取得新突破

芯導(dǎo)科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

2024南昌光電博覽會前瞻：半導(dǎo)體光電裝備、材料、器件及工藝

揚(yáng)杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長期供貨協(xié)議

揚(yáng)杰科技申請一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法的專利

華羿微電取得一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法專利，提升器件整體的 SOA

美國ITC對特定半導(dǎo)體器件及其下游產(chǎn)品啟動337調(diào)查

總投資50億，半導(dǎo)體激光雷達(dá)及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開工！

日本航空電子高端電子元器件項(xiàng)目簽約無錫

河北博威集成電路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法專利

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