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Wolfspeed參考設(shè)計：25kW高效率高功率密度雙向T-型逆變器

CHIPX首片6寸薄膜鈮酸鋰光子芯片晶圓下線，110GHz帶寬高性能薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片實現(xiàn)量產(chǎn)

中國科大研制出一種全方向表面等離子體波照明器件

專利公開 | 多家單位半導(dǎo)體激光器相關(guān)專利申請/授權(quán)公開

國產(chǎn)首顆機器人關(guān)節(jié)“氮化鎵驅(qū)動器芯片”正式商用

半導(dǎo)體所在植入式腦機接口器件研究方面取得新進展

勝天光電半導(dǎo)體光電器件封裝項目正式摘牌

京東方第6代新型半導(dǎo)體顯示器件生產(chǎn)線全面量產(chǎn)

CSPSD2025 | 近30位專家學(xué)者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來！

CSPSD2025 | 二十余位專家學(xué)者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進展！

2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD2025）在南京盛大召開

新微半導(dǎo)體總經(jīng)理王慶宇應(yīng)邀出席2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議并發(fā)表主旨演講

北京大學(xué)團隊成功研制無閾值電壓負漂650V/10A增強型GaN器件

總投資16.8億福建晶旭半導(dǎo)體“濾波器芯片生產(chǎn)”項目迎新進展

德州儀器12英寸晶圓廠即將竣工投產(chǎn)，項目投資300億美元

開幕在即 | 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見!

投資300億美元！德州儀器12英寸晶圓廠即將竣工投產(chǎn)

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)陳靜：智能TCAD技術(shù)—AI賦能微納電子器件的仿真、建模與設(shè)計

1250mW、BLG 展示創(chuàng)世界紀錄的單模 GaN 激光器

CSPSD 2025前瞻|超芯星邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實驗研究

CSPSD 2025前瞻|鎵和半導(dǎo)體邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)南通研究院邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|揚杰科技邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|國聯(lián)萬眾邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|矢量科學(xué)儀器邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

詳細日程| 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見!

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

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