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Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)突破外延襯底限制，實(shí)現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長(zhǎng)

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長(zhǎng)及材料特性研究

鎵和半導(dǎo)體李山：氧化鎵PECVD外延生長(zhǎng)及光電信息感知器件研究

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長(zhǎng)的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

【IFWS2024】碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程公布

IFWS2024：氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程出爐

長(zhǎng)宇科技取得一項(xiàng)外延生長(zhǎng)基盤用高均質(zhì)性特種石墨材料的制備方法專利，能夠保持產(chǎn)品制備的穩(wěn)定性

晶盛機(jī)電：12英寸硅減壓外延生長(zhǎng)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售出貨，ALD設(shè)備處于驗(yàn)證階段

北京理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)在雜化范德華外延生長(zhǎng)研究方向取得重要突破

晶盛機(jī)電：在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，先后成功研發(fā)8英寸及12英寸常壓硅外延生長(zhǎng)設(shè)備并實(shí)現(xiàn)銷售

科學(xué)家提出傾斜臺(tái)階面外延生長(zhǎng)菱方氮化硼單晶方法

IFWS 2023│200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長(zhǎng)

IFWS 2023│中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所閆果果：6英寸碳化硅外延生長(zhǎng)及深能級(jí)缺陷研究

IFWS 2023│氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)召開

IFWS 2023前瞻│氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程出爐

晶盛機(jī)電：公司成功研發(fā)出具有國(guó)際先進(jìn)水平的 8 英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備

簡(jiǎn)述GaN 外延生長(zhǎng)方法及生長(zhǎng)模式

國(guó)內(nèi)首家！廈門大學(xué)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長(zhǎng)

簡(jiǎn)述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)與機(jī)理研究進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院物理研究所張廣宇課題組實(shí)現(xiàn)4英寸晶圓尺度均勻多層二硫化鉬連續(xù)薄膜可控逐層外延生長(zhǎng)

南京大學(xué)、東南大學(xué)在雙層二維半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)核心技術(shù)取得新突破

南京大學(xué)等突破雙層二維半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)核心技術(shù)

【CASICON 2021】北京大學(xué)楊學(xué)林：Si襯底上GaN基電子材料外延生長(zhǎng)技術(shù)研究進(jìn)展

北京大學(xué)楊學(xué)林：硅襯底上氮化物大失配異質(zhì)外延生長(zhǎng)

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