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國際首發(fā)！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

48所深耕化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，持續(xù)擴(kuò)大外延設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域

Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)突破外延襯底限制，實(shí)現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長

廣州粵升8英寸SiC外延設(shè)備完成研發(fā)并出貨

天域半導(dǎo)體再戰(zhàn)港交所：中國碳化硅外延片龍頭客戶集中度超75%，華為比亞迪已入股

氮化鎵外延層中位錯(cuò)輔助的電子和空穴傳輸研究取得進(jìn)展

標(biāo)準(zhǔn)/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗(yàn)、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

中科院微電子所黃森、劉新宇團(tuán)隊(duì)在GaN外延位錯(cuò)傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機(jī)制方面取得重要進(jìn)展

納設(shè)智能全自動(dòng)雙腔8英寸碳化硅外延設(shè)備交付！

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質(zhì)量成核與生長難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導(dǎo)體異構(gòu)集成掃清了關(guān)鍵障礙

外延設(shè)備新高度！北方華創(chuàng)化合物外延設(shè)備引領(lǐng)市場(chǎng)熱潮

國產(chǎn)突破！無錫先為科技首臺(tái)GaN MOCVD外延設(shè)備成功發(fā)貨

晶盛機(jī)電旗下求是創(chuàng)芯12英寸常壓硅外延設(shè)備順利交付

富加鎵業(yè)氧化鎵MOCVD同質(zhì)外延片性能再創(chuàng)新高

上海合晶：正推進(jìn)12英寸55納米CIS外延片量產(chǎn)

上海合晶正推進(jìn)12英寸55納米CIS外延片量產(chǎn)

廣州拓諾稀科技氧化鎵外延項(xiàng)目即將投產(chǎn)

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長及材料特性研究

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

華潤微電子：潤新微電子外延生產(chǎn)基地建成

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

瀚天天成申請(qǐng)降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質(zhì)量

碳化硅外延供應(yīng)商瀚天天成沖刺港交所

晶湛半導(dǎo)體發(fā)布第二代Full Color GaN?全彩系列外延片，攜ZDP?平臺(tái)助力AR眼鏡商業(yè)化進(jìn)程

采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積原位脈沖鋁原子輔助法生長的（001）β-Ga2O3外延層

助力科技中國戰(zhàn)略！蓋澤參編的《埋層硅外延片》GB國家標(biāo)準(zhǔn)正式實(shí)施

西湖大學(xué)工學(xué)院孔瑋團(tuán)隊(duì)提出β-Ga?O? (100)面的單晶同質(zhì)外延方法

瀚天天成8英寸碳化硅外延晶片廠房建設(shè)完成，設(shè)備購置將在3月收官

CASA立項(xiàng)《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

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