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國際首發(fā)！深圳平湖實驗室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質量GaN外延

48所深耕化合物半導體領域，持續(xù)擴大外延設備應用領域

Science Advances：南京大學聯合團隊突破外延襯底限制，實現非晶襯底上高質量半導體薄膜外延生長

廣州粵升8英寸SiC外延設備完成研發(fā)并出貨

天域半導體再戰(zhàn)港交所：中國碳化硅外延片龍頭客戶集中度超75%，華為比亞迪已入股

氮化鎵外延層中位錯輔助的電子和空穴傳輸研究取得進展

標準/“GaN HEMT開關可靠性試驗、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項標準形成委員會草案

中科院微電子所黃森、劉新宇團隊在GaN外延位錯傳導載流子及其導致功率電子器件可靠性退化機制方面取得重要進展

納設智能全自動雙腔8英寸碳化硅外延設備交付！

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質量成核與生長難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導體異構集成掃清了關鍵障礙

外延設備新高度！北方華創(chuàng)化合物外延設備引領市場熱潮

國產突破！無錫先為科技首臺GaN MOCVD外延設備成功發(fā)貨

晶盛機電旗下求是創(chuàng)芯12英寸常壓硅外延設備順利交付

富加鎵業(yè)氧化鎵MOCVD同質外延片性能再創(chuàng)新高

上海合晶：正推進12英寸55納米CIS外延片量產

上海合晶正推進12英寸55納米CIS外延片量產

廣州拓諾稀科技氧化鎵外延項目即將投產

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學賀小敏：氧化鎵異質外延生長及材料特性研究

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

華潤微電子：潤新微電子外延生產基地建成

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質外延氮化鎵外延層厚度測試方法標準形成征求意見稿

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

瀚天天成申請降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質量

碳化硅外延供應商瀚天天成沖刺港交所

晶湛半導體發(fā)布第二代Full Color GaN?全彩系列外延片，攜ZDP?平臺助力AR眼鏡商業(yè)化進程

采用金屬有機化學氣相沉積原位脈沖鋁原子輔助法生長的（001）β-Ga2O3外延層

助力科技中國戰(zhàn)略！蓋澤參編的《埋層硅外延片》GB國家標準正式實施

西湖大學工學院孔瑋團隊提出β-Ga?O? (100)面的單晶同質外延方法

瀚天天成8英寸碳化硅外延晶片廠房建設完成，設備購置將在3月收官

CASA立項《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項團體標準

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