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國創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力，“超高性能同質外延Micro-LED”取得新突破

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關專利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

蘇州晶湛半導體取得半導體結構及其形成方法專利，提高半導體外延層的性能

英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊，適用于功率高達 4 千瓦的工業(yè)電機驅動器

光谷實驗室研發(fā)出高性能量子點光刻膠

左藍微電子完成億元B+輪融資，持續(xù)打造射頻濾波器性能新高度

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設計結構專利，降低功率器件制造成本

美國投資14億美元研發(fā)高性能Chiplet

長光華芯申請高功率半導體激光芯片性能評估及結構優(yōu)化方法專利，有效提高評估結果準確度

青禾晶元領跑國際，成功研制8寸高性能濾波器用壓電材料POI襯底

我國高性能光子芯片領域取得突破可批量制造！

西安8英寸高性能特色工藝半導體芯片生產線項目實現(xiàn)“交地即交證” 總投資45億元

西安8英寸高性能特色工藝半導體生產線項目爭2024年建成投產

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學巫江：基于化合物半導體異質結的高性能器件設計與制備

晶合集成申請半導體器件專利，提升半導體器件的性能

英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)

比亞迪半導體申請逆導型IGBT功率器件專利，有效抑制負阻效應，提高器件性能

新進展│深圳大學劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質集成的高性能寬光譜探測器研究新成果

唐為華教授團隊通過熱重排工程和能帶調制實現(xiàn)可調諧的 Ga?O? 日盲光敏性能

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中國科學院半導體所榮獲北京市自然科學獎一等獎

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大阪公立大學梁劍波：增強 GaN/3C-SiC/金剛石結構的散熱性能，以適應實際器件應用

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

中科院半導體研究所公開一項集成光子芯片專利可提升光模塊性能

量子工程材料如何賦能半導體性能提升？

IFWS 2023│大連理工大學王德君：提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑

IFWS 2023│中國電子科技集團第四十六研究所孫杰：高導熱GaN/金剛石結構制備及器件性能

IFWS&SSLCHINA 2023│英諾賽科歐洲總經理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本

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