亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<pre id="oheqh"><input id="oheqh"><th id="oheqh"></th></input></pre>

<pre id="oheqh"><label id="oheqh"></label></pre><bdo id="oheqh"><span id="oheqh"></span></bdo>

<span id="ze1kd"><label id="ze1kd"></label></span>

<ins id="ze1kd"><tt id="ze1kd"></tt></ins>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

吉利無錫高性能電驅(qū)項(xiàng)目投產(chǎn)

哪吒汽車發(fā)布800V SiC高性能電驅(qū)系統(tǒng)——浩智電驅(qū)

4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

中科院長春光機(jī)所高性能光芯片項(xiàng)目簽約無錫惠山高新區(qū)

中科院長春光機(jī)所高性能光芯片項(xiàng)目落戶惠山高新區(qū)

基本半導(dǎo)體與羅姆簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議就碳化硅功率器件的創(chuàng)新升級(jí)、性能提升等方面展開深度合作

千里新材高性能氮化硅制品產(chǎn)業(yè)化及總部基地項(xiàng)目開工

金剛石物理性能調(diào)控研究進(jìn)展

中國科大在高性能金剛石量子器件制備上取得重要進(jìn)展

深圳大學(xué)劉新科研究員團(tuán)隊(duì)研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

芯塔電子推出新一代SiC MOSFET，性能達(dá)到國際一流水平

廣汽埃安超高性能SiC電驅(qū)成功下線，功率密度國內(nèi)領(lǐng)先

北京交通大學(xué)趙謖玲課題組：實(shí)現(xiàn)可覆蓋紫外-可見-近紅外范圍的高性能寬帶探測器

奧趨光電發(fā)布高性能、耐超高溫AlN單晶襯底基AlScN壓電材料新產(chǎn)品

三星宣布3納米芯片正式開始量產(chǎn) 采用新 GAA晶體管架構(gòu) 提高30%性能

中科院蘇州納米所趙志剛團(tuán)隊(duì)Analytical Chemistry：量子點(diǎn)尺寸調(diào)控實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體SERS基底性能提升和無機(jī)小分子檢測

高性能、更合規(guī) 智能傳感器平臺(tái)PerSe以領(lǐng)先技術(shù)賦能消費(fèi)類智能設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展

金剛石MOSFET器件最新成果！在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件

中科院物理所陸凌團(tuán)隊(duì)研制出了性能指標(biāo)具佳的拓?fù)淝幻姘l(fā)射激光器

金沙江半導(dǎo)體與西北大學(xué)物理學(xué)科高性能計(jì)算中心正式簽約

郭浩中教授、劉新科研究團(tuán)隊(duì)在Micro-LED背光模組研究中獲得新進(jìn)展，均勻度性能提升32%

高性能計(jì)算芯片領(lǐng)導(dǎo)者思朗科技獲1億美金C輪融資

聚燦光電與中科院半導(dǎo)體所開發(fā)高性能高光功率氮化物

中科院蘇州納米研究所司志偉：助熔劑法氮化鎵微碟不同極性面的光學(xué)性能

中電科第十三研究所梁士雄：基于氮化鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器

韓國Wavice Inc首席技術(shù)官Sangmin LEE：i-line步進(jìn)器實(shí)現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性

西安電子科技大學(xué)袁海東：β-Ga2O3/2D異質(zhì)結(jié)界面性能調(diào)控及其潛在應(yīng)用

鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz Sharif：銦摩爾分?jǐn)?shù)對(duì)InGaN基近紫外發(fā)光二極管光學(xué)性能的影響

聞泰科技：安世半導(dǎo)體推出領(lǐng)先性能的氮化鎵功率器件 (GaN FET)

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)成功突破柔性高性能GaN半導(dǎo)體外延材料與器件制備技術(shù)

第4頁/共8頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<pre id="7xz0r"></pre>