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國(guó)創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力，“超高性能同質(zhì)外延Micro-LED”取得新突破

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關(guān)專(zhuān)利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

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光谷實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出高性能量子點(diǎn)光刻膠

左藍(lán)微電子完成億元B+輪融資，持續(xù)打造射頻濾波器性能新高度

華羿微電申請(qǐng)高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專(zhuān)利，降低功率器件制造成本

美國(guó)投資14億美元研發(fā)高性能Chiplet

長(zhǎng)光華芯申請(qǐng)高功率半導(dǎo)體激光芯片性能評(píng)估及結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法專(zhuān)利，有效提高評(píng)估結(jié)果準(zhǔn)確度

青禾晶元領(lǐng)跑?chē)?guó)際，成功研制8寸高性能濾波器用壓電材料POI襯底

我國(guó)高性能光子芯片領(lǐng)域取得突破可批量制造！

西安8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)“交地即交證” 總投資45億元

西安8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目爭(zhēng)2024年建成投產(chǎn)

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)巫江：基于化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設(shè)計(jì)與制備

晶合集成申請(qǐng)半導(dǎo)體器件專(zhuān)利，提升半導(dǎo)體器件的性能

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

比亞迪半導(dǎo)體申請(qǐng)逆導(dǎo)型IGBT功率器件專(zhuān)利，有效抑制負(fù)阻效應(yīng)，提高器件性能

新進(jìn)展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測(cè)器研究新成果

唐為華教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)熱重排工程和能帶調(diào)制實(shí)現(xiàn)可調(diào)諧的 Ga?O? 日盲光敏性能

中科潞安量產(chǎn)產(chǎn)品性能再升級(jí) 大功率UVC-LED器件實(shí)驗(yàn)室效率破9.5%

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所榮獲北京市自然科學(xué)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)

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量子工程材料如何賦能半導(dǎo)體性能提升？

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