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吉利無錫高性能電驅(qū)項目投產(chǎn)

哪吒汽車發(fā)布800V SiC高性能電驅(qū)系統(tǒng)——浩智電驅(qū)

4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

中科院長春光機所高性能光芯片項目簽約無錫惠山高新區(qū)

中科院長春光機所高性能光芯片項目落戶惠山高新區(qū)

基本半導體與羅姆簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議就碳化硅功率器件的創(chuàng)新升級、性能提升等方面展開深度合作

千里新材高性能氮化硅制品產(chǎn)業(yè)化及總部基地項目開工

金剛石物理性能調(diào)控研究進展

中國科大在高性能金剛石量子器件制備上取得重要進展

深圳大學劉新科研究員團隊研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

芯塔電子推出新一代SiC MOSFET，性能達到國際一流水平

廣汽埃安超高性能SiC電驅(qū)成功下線，功率密度國內(nèi)領(lǐng)先

北京交通大學趙謖玲課題組：實現(xiàn)可覆蓋紫外-可見-近紅外范圍的高性能寬帶探測器

奧趨光電發(fā)布高性能、耐超高溫AlN單晶襯底基AlScN壓電材料新產(chǎn)品

三星宣布3納米芯片正式開始量產(chǎn) 采用新 GAA晶體管架構(gòu) 提高30%性能

中科院蘇州納米所趙志剛團隊Analytical Chemistry：量子點尺寸調(diào)控實現(xiàn)半導體SERS基底性能提升和無機小分子檢測

高性能、更合規(guī) 智能傳感器平臺PerSe以領(lǐng)先技術(shù)賦能消費類智能設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展

金剛石MOSFET器件最新成果！在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件

中科院物理所陸凌團隊研制出了性能指標具佳的拓撲腔面發(fā)射激光器

金沙江半導體與西北大學物理學科高性能計算中心正式簽約

郭浩中教授、劉新科研究團隊在Micro-LED背光模組研究中獲得新進展，均勻度性能提升32%

高性能計算芯片領(lǐng)導者思朗科技獲1億美金C輪融資

聚燦光電與中科院半導體所開發(fā)高性能高光功率氮化物

中科院蘇州納米研究所司志偉：助熔劑法氮化鎵微碟不同極性面的光學性能

中電科第十三研究所梁士雄：基于氮化鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器

韓國Wavice Inc首席技術(shù)官Sangmin LEE：i-line步進器實現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性

西安電子科技大學袁海東：β-Ga2O3/2D異質(zhì)結(jié)界面性能調(diào)控及其潛在應用

鄭州大學Muhammad Nawaz Sharif：銦摩爾分數(shù)對InGaN基近紫外發(fā)光二極管光學性能的影響

聞泰科技：安世半導體推出領(lǐng)先性能的氮化鎵功率器件 (GaN FET)

西電郝躍院士團隊成功突破柔性高性能GaN半導體外延材料與器件制備技術(shù)

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