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日本半導(dǎo)體，火力全開(kāi)

英特爾聯(lián)手日本14家公司開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體自動(dòng)化技術(shù)：預(yù)計(jì)2028年實(shí)用化

商務(wù)部回應(yīng)日本擬加嚴(yán)半導(dǎo)體等領(lǐng)域出口管制

日本中央玻璃：進(jìn)軍液相法8英寸碳化硅襯底

訂單價(jià)值約2億美元！世紀(jì)金芯斬獲日本13萬(wàn)片SiC大單！

日本開(kāi)發(fā)在磁場(chǎng)下實(shí)現(xiàn)電阻開(kāi)關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件

日本初創(chuàng)公司開(kāi)發(fā)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新材料成本降低75%

日本投入670億美元欲再造芯片強(qiáng)國(guó)

日媒：對(duì)華業(yè)務(wù)拉動(dòng)日本半導(dǎo)體出口

英特爾與日本NTT合作開(kāi)發(fā)光電融合半導(dǎo)體

日本突發(fā)7.4級(jí)地震，多家半導(dǎo)體工廠停工檢查

日本團(tuán)隊(duì)：金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

豐田、本田、電裝、瑞薩電子等12家日企宣布合作開(kāi)發(fā)高性能汽車(chē)芯片

富士電機(jī)將在3年內(nèi)投資2000億日元用于碳化硅產(chǎn)線建設(shè)

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

IFWS 2023│日本大阪大學(xué)陳傳彤：SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展

IFWS 2023│日本國(guó)立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器

東芝和羅姆將合作生產(chǎn)功率半導(dǎo)體日本政府補(bǔ)貼8.3億美元

日本Rapidus、東京大學(xué)與法國(guó)研究機(jī)構(gòu)合作開(kāi)發(fā)1nm制程半導(dǎo)體

日本開(kāi)發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

日本電裝：到2030年將向半導(dǎo)體投資近5000億日元計(jì)劃與多家企業(yè)建立戰(zhàn)略合作

日本三菱電機(jī)牽頭提議構(gòu)建功率半導(dǎo)體國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)

力晶半導(dǎo)體考慮斥資 54億美元在日本建造 5 個(gè)工廠

日本研發(fā)出氧化鎵低成本制法

日本首相將公布經(jīng)濟(jì)對(duì)策，扶持國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)

三菱化學(xué)計(jì)劃在日本新建半導(dǎo)體材料工廠

日本 Rapidus 計(jì)劃到 2027 年建造尖端晶圓廠，向臺(tái)積電挑戰(zhàn)

傳日本更可能實(shí)施對(duì)光刻/薄膜沉積設(shè)備的出口管制

碳化硅，我選你！”——平頂山市長(zhǎng)率團(tuán)考察日本碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)|產(chǎn)業(yè)鏈情報(bào)站

外媒：日本將加強(qiáng)電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施，到 2030 年高速充電樁功率提高至 90 kW

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