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電子科技大學(xué)羅小蓉課題組在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進(jìn)展

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

廈門大學(xué)張洪良團(tuán)隊在氧化鎵半導(dǎo)體帶隙工程和日盲紫外光電探測器研究取得進(jìn)展

重點(diǎn)研發(fā)“卡脖子”項目，同濟(jì)大學(xué)氧化鎵材料項目簽約江蘇無錫

同濟(jì)大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項目簽約無錫高新區(qū)

同濟(jì)大學(xué)第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料項目落地江蘇省無錫市高新區(qū)

【國際論文】具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

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廈門大學(xué)張洪良團(tuán)隊在寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體摻雜電子結(jié)構(gòu)研究取得進(jìn)展

廈門大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究

南京郵電大學(xué)氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

CASICON 2023長沙站：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)展探討

鎵仁半導(dǎo)體完成數(shù)千萬天使輪融資，加速氧化鎵中試線研發(fā)等

廈大研究團(tuán)隊在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進(jìn)展

聞泰科技：已布局第三代化合物半導(dǎo)體暫無氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品

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國內(nèi)首批！銘鎵半導(dǎo)體實現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

國內(nèi)第一！中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶

中國首顆6英寸氧化鎵單晶成功制備，第四代半導(dǎo)體呼嘯而來

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管

中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

國產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商銘鎵半導(dǎo)體實現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體在壓電與射頻器件中的應(yīng)用

4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

一文讀懂氧化鎵半導(dǎo)體

郝躍院士團(tuán)隊研制出國際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)

日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

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