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總投資16.8億元，氧化鎵高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目主體建筑封頂！

東京大學(xué)研發(fā)“摻鎵氧化銦晶體”取代硅材料

鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)晶圓級6英寸斜切氧化鎵襯底制備

國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“氧化鎵單片功率電子集成器件研究”項目啟動會暨實(shí)施方案論證會成功召開

浙江大學(xué)團(tuán)隊多項碳化硅、氧化鎵相關(guān)研究成果閃耀I(xiàn)EEE ISPSD 2025

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

富加鎵業(yè)氧化鎵MOCVD同質(zhì)外延片性能再創(chuàng)新高

廣州拓諾稀科技氧化鎵外延項目即將投產(chǎn)

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長及材料特性研究

鎵仁半導(dǎo)體與德國NextGO.Epi攜手，推動氧化鎵應(yīng)用

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|九峰山實(shí)驗(yàn)室袁?。盒滦投嗉墱喜?span id="pcnkwdu" class="highlight">氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)葉建東：氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件

九峰山實(shí)驗(yàn)室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

蘇州無熱芯陽半導(dǎo)體申請新型襯底及其氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管專利

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見證半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新突破

全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開啟第四代半導(dǎo)體氧化鎵新時代

鎵仁半導(dǎo)體董事長張輝：大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶材料進(jìn)展 | CASICON重慶站

CASICON重慶站：全面聚焦氮化鎵、氧化鎵、金剛石功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展

研制成功！我國團(tuán)隊在氧化鎵日盲光電探測器領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

新突破|鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵單晶生長突破性成果在晶體領(lǐng)域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

一批半導(dǎo)體項目簽約衢州涉及氧化鎵、氮化鋁單晶襯底等

鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)4英寸氧化鎵單晶

半導(dǎo)體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進(jìn)展

杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實(shí)現(xiàn)2400V增強(qiáng)型晶體管

寧波材料所與鄭州大學(xué)實(shí)現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

長光華芯“一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權(quán)

上海瑞華晟申請SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

揚(yáng)杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

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