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總投資16.8億元，氧化鎵高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目主體建筑封頂！

東京大學研發(fā)“摻鎵氧化銦晶體”取代硅材料

鎵仁半導體實現(xiàn)晶圓級6英寸斜切氧化鎵襯底制備

國家重點研發(fā)計劃“氧化鎵單片功率電子集成器件研究”項目啟動會暨實施方案論證會成功召開

浙江大學團隊多項碳化硅、氧化鎵相關研究成果閃耀IEEE ISPSD 2025

新突破︱鎵仁半導體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

富加鎵業(yè)氧化鎵MOCVD同質外延片性能再創(chuàng)新高

廣州拓諾稀科技氧化鎵外延項目即將投產(chǎn)

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學賀小敏：氧化鎵異質外延生長及材料特性研究

鎵仁半導體與德國NextGO.Epi攜手，推動氧化鎵應用

CSPSD 2025前瞻|中國科學技術大學徐光偉：基于摻雜調控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|九峰山實驗室袁?。盒滦投嗉墱喜?span id="8oflwiy" class="highlight">氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學葉建東：氧化鎵異質結構與器件

九峰山實驗室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

蘇州無熱芯陽半導體申請新型襯底及其氧化物半導體場效應晶體管專利

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見證半導體產(chǎn)業(yè)新突破

全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開啟第四代半導體氧化鎵新時代

鎵仁半導體董事長張輝：大尺寸高質量氧化鎵單晶材料進展 | CASICON重慶站

CASICON重慶站：全面聚焦氮化鎵、氧化鎵、金剛石功率半導體技術及應用發(fā)展

研制成功！我國團隊在氧化鎵日盲光電探測器領域取得重要進展

新突破|鎵仁半導體實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜

鎵仁半導體氧化鎵單晶生長突破性成果在晶體領域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

一批半導體項目簽約衢州涉及氧化鎵、氮化鋁單晶襯底等

鎵仁半導體成功制備VB法(非銥坩堝)4英寸氧化鎵單晶

半導體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進展

杭州鎵仁半導體氧化鎵襯底技術突破，助力客戶實現(xiàn)2400V增強型晶體管

寧波材料所與鄭州大學實現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質結器件突破

長光華芯“一種釋放氧化應力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權

上海瑞華晟申請SiC/SiC復合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

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