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廈大研究團(tuán)隊(duì)在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

聞泰科技：已布局第三代化合物半導(dǎo)體暫無(wú)氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品

聞泰科技：已布局第三代化合物半導(dǎo)體，暫無(wú)氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品

國(guó)內(nèi)首批！銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

敏源傳感的氮氧化物調(diào)理芯片MY9706通過(guò)車規(guī)級(jí)HTOL認(rèn)證

國(guó)內(nèi)第一！中國(guó)電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶

中國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶成功制備，第四代半導(dǎo)體呼嘯而來(lái)

招聘：中科院寧波材料所氧化物半導(dǎo)體方向誠(chéng)聘副研究員和博士后

中國(guó)科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進(jìn)展

簡(jiǎn)述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

中國(guó)科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

國(guó)產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體在壓電與射頻器件中的應(yīng)用

4英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)與性能分析

基于原子層沉積技術(shù)的具有常溫相變能力的鎢摻雜二氧化釩兼容于8寸晶圓及PI薄膜

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

一文讀懂氧化鎵半導(dǎo)體

郝躍院士團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實(shí)現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)

日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

外媒：日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

A 輪融資近億元！銘鎵半導(dǎo)體將建國(guó)內(nèi)首條氧化鎵完整產(chǎn)業(yè)線

復(fù)旦大學(xué)盧紅亮課題組在柔性氧化鎵光電探測(cè)器方面取得重要研究進(jìn)展實(shí)現(xiàn)超靈敏的深紫外光探測(cè)率

西安交大在氧化物薄膜外延領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

一文了解第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵(Ga2O3)

中國(guó)科大在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

華中科技大學(xué)黃亮課題組提出膨化制備超薄氧化物新策略

中國(guó)研發(fā)再突破！15億美元的氧化鎵市場(chǎng)如何引發(fā)多國(guó)博弈？

第四代半導(dǎo)體氧化鎵，浙大杭州科創(chuàng)中心新技術(shù)路線制備 2 英寸晶圓

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