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芯導(dǎo)科技2021年凈利同比增54.38%，氮化鎵業(yè)務(wù)及研究有進(jìn)展

擁有超1000項(xiàng)專利組合，全球再添一家氮化鎵企業(yè)上市

“東數(shù)西算”工程全面啟動(dòng)，數(shù)據(jù)中心建設(shè)驅(qū)動(dòng)氮化鎵需求爆發(fā)

國(guó)星光電：氮化鎵和碳化硅器件已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，十億擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)能正逐步釋放

中鎵半導(dǎo)體：低位錯(cuò)密度氮化鎵自支撐襯底產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)銷售

中瓷電子切入氮化鎵賽道打開(kāi)第二成長(zhǎng)曲線

氮化鎵領(lǐng)先企業(yè)“英諾賽科”完成近30億元D輪融資

河南十四五將加快發(fā)展碳化硅、氮化鎵、砷化鎵等第三代半導(dǎo)體材料

河南：積極布局發(fā)展以碳化硅、氮化鎵為重點(diǎn)的第三代半導(dǎo)體材料

中國(guó)人大陳珊珊教授團(tuán)隊(duì)在寬帶隙超薄二維氮化鎵的可控制備方面獲新進(jìn)展

羅姆：新一代半導(dǎo)體的氮化鎵將在2022年春季之前量產(chǎn)

日本羅姆量產(chǎn)5G基站用新一代氮化鎵功率半導(dǎo)體

中科院蘇州納米所團(tuán)隊(duì)在石墨烯調(diào)控的氮化鎵遠(yuǎn)程外延機(jī)理研究獲新進(jìn)展

賽微電子：GaN（氮化鎵）制造產(chǎn)線正在建設(shè)中

中瓷電子擬收購(gòu)中電科十三所氮化鎵基站射頻芯片業(yè)務(wù)、博威集成和國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾部分股權(quán)或全部股權(quán)

納微半導(dǎo)體成立全球首家針對(duì)電動(dòng)汽車的氮化鎵功率芯片設(shè)計(jì)中心

碳化硅、氮化鎵企業(yè)大盤點(diǎn) 哪些標(biāo)的值得關(guān)注？

DB HiTek 將采用硅基氮化鎵技術(shù)改進(jìn) 8 英寸半導(dǎo)體工藝

第三代半導(dǎo)體-氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)鏈基本形成

中科院蘇州納米研究所司志偉：助熔劑法氮化鎵微碟不同極性面的光學(xué)性能

中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng)：2英寸低位錯(cuò)密度高電導(dǎo)率和半絕緣氮化鎵自支撐襯底的生長(zhǎng)

基于氮化鎵業(yè)務(wù)發(fā)展的考慮賽微電子(300456.SZ)擬轉(zhuǎn)讓聚能國(guó)際24.5%股權(quán)

晶方科技擬加強(qiáng)對(duì)第三代半導(dǎo)體氮化鎵器件公司VisIC的投資

西安電子科技大學(xué)劉志宏：面向移動(dòng)SoC應(yīng)用的氮化鎵射頻器件研究進(jìn)展

中電科第十三研究所梁士雄：基于氮化鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器

美國(guó)Analog設(shè)備張薇葭：基于直接鍵合工藝液冷散熱技術(shù)的緊湊型氮化鎵功率模塊設(shè)計(jì)及其熱學(xué)模型研究

最新進(jìn)展分享氮化鎵功率電子器件論壇成功舉行

美國(guó)康奈爾大學(xué)教授Huili Grace XING：對(duì)抗氮化鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga2O3

晶湛半導(dǎo)體總部大樓正式奠基，標(biāo)志著氮化鎵外延材料產(chǎn)業(yè)化基地正式啟航

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)乘風(fēng)破浪，誰(shuí)將會(huì)傲立潮頭？

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