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港科大開發(fā)基于氮化鎵的互補(bǔ)邏輯集成電路，極大提升第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用前景

努比亞發(fā)布65W四口氮化鎵充電器采用第三代氮化鎵技術(shù)

CASICON 2021前瞻：南京大學(xué)陳敦軍教授將出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會

華燦光電：已與多個終端客戶公司開展氮化鎵電力電子器件等應(yīng)用領(lǐng)域合作

中科半導(dǎo)體氮化鎵外延片及單晶襯底材料研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目落戶贛州經(jīng)開區(qū)

這個項(xiàng)目將新添一條氮化鎵共封裝器件生產(chǎn)線年產(chǎn)值可達(dá)到12億元

燦科半導(dǎo)體將增加一條氮化鎵共封裝器件生產(chǎn)線年產(chǎn)值可達(dá)12億元

北大物理學(xué)院量子材料科學(xué)中心高鵬研究員與合作者首次在玻璃襯底上異質(zhì)外延出準(zhǔn)單晶氮化鎵薄膜

賽維電子：聚能創(chuàng)芯融資事項(xiàng)正在推進(jìn)中碳化硅基氮化鎵材料及制造方面具有技術(shù)儲備

總投資19億元 10條氮化鎵產(chǎn)線將落地山西

寧波新材料五年發(fā)展規(guī)劃出爐，氮化鎵、碳化硅、氧化鋅等第三代半導(dǎo)體材料被提及

總投資300億元，金普新區(qū)與正威集團(tuán)合作將建以氮化鎵半導(dǎo)體為核心的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地等

《Nature Electronics》：港科大氮化鎵基互補(bǔ)邏輯集成電路研究取得重大成果

南科大馬俊在新型多溝道氮化鎵電力電子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

奔涌在時代長河中的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

第三代半導(dǎo)體的激流與險灘

國際首次，中科院院士在玻璃襯底上“異質(zhì)外延”出準(zhǔn)單晶氮化鎵薄膜

兆馳股份：公司氮化鎵芯片產(chǎn)能位于行業(yè)前列，未來不排除根據(jù)市場發(fā)展情況繼續(xù)擴(kuò)產(chǎn)的可能

玻璃襯底上首次“異質(zhì)外延”出準(zhǔn)單晶氮化鎵薄膜

寬禁帶半導(dǎo)體：一場能源轉(zhuǎn)換鏈中的革命

華為入局氮化鎵快充市場，2021或迎GaN快充爆發(fā)期？

日本研發(fā)新型具有高溫度穩(wěn)定性的氮化鎵MEMS諧振器

利亞德：公司參股的Saphlux屬于第三代半導(dǎo)體

芯片新局面：第三代半導(dǎo)體迎來新機(jī)遇

半導(dǎo)體新格局|缺芯全球蔓延, 國產(chǎn)替代迎機(jī)遇

氮化鎵（GaN）射頻器件市場：2026年預(yù)計達(dá)到24億美元以上

奧趨光電正式批量量產(chǎn)新一代超寬禁帶半導(dǎo)體高端材料—— 高質(zhì)量氮化鋁單晶襯底系列產(chǎn)品

全球首條產(chǎn)線！英諾賽科蘇州8英寸硅基氮化鎵芯片產(chǎn)線正式大規(guī)模投產(chǎn)

到2027年，氮化鎵和碳化硅功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將超過45億美元

石家莊六大重點(diǎn)工程出爐，將加快6英寸碳化硅外延、氮化鎵外延、12英寸硅外延量產(chǎn)化進(jìn)程

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