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CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究

CSPSD 2025前瞻|浙江大學(xué)王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補(bǔ)償技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓：基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測(cè)量方法研究

CSPSD 2025前瞻|超芯星劉欣宇：破界·賦能·引領(lǐng)——化學(xué)氣相法碳化硅襯底技術(shù)創(chuàng)新開啟未來產(chǎn)業(yè)新紀(jì)元

中國科學(xué)院微電子所在碳硅三維異質(zhì)集成器件上取得進(jìn)展

基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET

臨港公示新昇半導(dǎo)體300mm硅片項(xiàng)目設(shè)計(jì)方案

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

總投資8.5億元，光電子集成高端硅基晶圓制造中心項(xiàng)目封頂

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

泰科天潤(rùn)“一種超結(jié)快恢復(fù)平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

Polar與瑞薩電子達(dá)成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

投資3.9億元，同光科技年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項(xiàng)目

三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

廣州南砂晶圓申請(qǐng)用于PVT法生長(zhǎng)碳化硅單晶的裝料裝置及應(yīng)用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質(zhì)量

ULVAC中國總裁楊秉君：車規(guī)級(jí)碳化硅市場(chǎng)發(fā)展正當(dāng)時(shí)，將持續(xù)深耕中國市場(chǎng)

瀚天天成申請(qǐng)降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質(zhì)量

湖北迅盛50億元硅烷項(xiàng)目獲批！

碳化硅外延供應(yīng)商瀚天天成沖刺港交所

2025新能源汽車增速拐點(diǎn)將至，碳化硅行業(yè)亟需開辟第二戰(zhàn)場(chǎng)

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魯晶半導(dǎo)體與山東大學(xué)共建碳化硅功率器件產(chǎn)學(xué)研合作新生態(tài)

總投資234億元，海東紅獅硅基新材料項(xiàng)目點(diǎn)火試生產(chǎn)！

金威源與杰平方正式簽署碳化硅戰(zhàn)略合作

12英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)激光剝離

山西中電科公司新研碳化硅化學(xué)氣相沉積裝備技術(shù)指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平

天科合達(dá)申請(qǐng)?jiān)谯釄鍍?nèi)部放置石墨件來提升碳化硅粉料利用率的專利，能夠明顯提高原料利用率

西湖儀器：實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離

全球首發(fā)！天岳先進(jìn)攜全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品震撼登場(chǎng)SEMICON China 2025

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