亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<pre id="oheqh"><input id="oheqh"><th id="oheqh"></th></input></pre>

<pre id="oheqh"><label id="oheqh"></label></pre><bdo id="oheqh"><span id="oheqh"></span></bdo>

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

豐田合成、大阪大學(xué)等成功制備6吋GaN襯底

半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法專利

8英寸SiC和GaN晶圓廠項(xiàng)目簽約福建

英飛凌、京瓷GaN/SiC新動(dòng)作

北大團(tuán)隊(duì)新型器件技術(shù)加速GaN進(jìn)入工業(yè)與汽車應(yīng)用

新進(jìn)展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測(cè)器研究新成果

福州新區(qū)新增兩個(gè)GaN項(xiàng)目簽約

聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

廈門大學(xué)團(tuán)隊(duì)演示可同步輻射正交線偏振綠光的半極性InGaN基MCLED

北京大學(xué)申請(qǐng)高動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN HEMT的動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性

華南師范大學(xué)王幸福：GaN微納結(jié)構(gòu)及其光電子器件研究

三安宣布進(jìn)軍美洲市場(chǎng)，為市場(chǎng)提供SiC和GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

瑞薩收購(gòu)Transphorm，利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容

香港中文大學(xué)（深圳）冀東：GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

英諾賽科發(fā)布100V車規(guī)級(jí)GaN，持續(xù)推進(jìn)汽車激光雷達(dá)市場(chǎng)

簡(jiǎn)述氮化鎵(GaN)的應(yīng)用市場(chǎng)

ULVAC牛山史三：GaN濺射技術(shù)進(jìn)展

南京大學(xué)莊喆：基于外延層殘余應(yīng)變調(diào)控的InGaN基紅光LED器件

深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直GaN功率器件

西安電子科技大學(xué)游淑珍：面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢(shì)

大阪公立大學(xué)梁劍波：增強(qiáng) GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能，以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用

多倫多大學(xué)吳偉東：用于電動(dòng)汽車的液冷GaN和SiC功率模塊

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

北京大學(xué)申請(qǐng)GaN與碳納米管CMOS電路專利

IFWS 2023│華南師范大學(xué)尹以安：具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

IFWS 2023│臺(tái)灣成功大學(xué)李清庭：GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管

IFWS 2023│日本國(guó)立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器

IFWS 2023│南方科技大學(xué)于洪宇：Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

第5頁(yè)/共15頁(yè) 首頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 尾頁(yè)

聯(lián)系客服投訴反饋頂部