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北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進(jìn)展

聞泰科技：已實(shí)現(xiàn)GaN產(chǎn)品D-M系列產(chǎn)品銷售和SiC整流管的工業(yè)消費(fèi)級(jí)量產(chǎn)

西安電子科技大學(xué)GaN-on-Si/SOI 外延片采購公開招標(biāo)公告

CASICON晶體大會(huì)前瞻|才道精密儀器馬觀嵐：SiC/GaN襯底和外延片檢測(cè)設(shè)備國產(chǎn)化

GaN芯片龍頭「英諾賽科」，遞交IPO招股書，擬香港上市，中金、招銀聯(lián)席保薦

GaNational：GaN功率器件引領(lǐng)革新風(fēng)潮

科技成果推介｜增強(qiáng)型GaN電力電子器件

北京大學(xué)申請(qǐng)多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對(duì) GaN功率電子器件的影響研究

Power Integrations收購GaN開發(fā)商Odyssey半導(dǎo)體資產(chǎn)

國博電子：公司GaN射頻模塊主要應(yīng)用于4G、5G基站設(shè)備中，積極布局6G移動(dòng)通信應(yīng)用

技術(shù)進(jìn)展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著降低

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《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目動(dòng)工，將新建6英寸GaN外延片產(chǎn)線

CSPSD 2024成都前瞻|海思科技包琦龍：ICT?場(chǎng)景下中低壓?(<200V) GaN?器件應(yīng)用挑戰(zhàn)

CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技劉勇：PGaN增強(qiáng)型GaN功率器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)

CSPSD 2024成都前瞻|湖南三安半導(dǎo)體劉成：應(yīng)用于工業(yè)及汽車市場(chǎng)的GaN功率器件制造技術(shù)

國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“單片集成GaN基可調(diào)控Micro-LED發(fā)光器件研究”項(xiàng)目啟動(dòng)

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大學(xué)孫佳慧：肖特基型p-GaN柵GaN HEMT的柵極抗靜電魯棒性

CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料實(shí)驗(yàn)室王方洲：低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

CSPSD 2024成都前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡(jiǎn)單易用？

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

北京大學(xué)申請(qǐng)長波長InGaN基發(fā)光二極管專利，有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入

品牌推薦│BelGaN誠邀您參加CSE化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極增強(qiáng)型電力電子器件

成果推薦 | 硅襯底上基于高Al組分AlInGaN勢(shì)壘層射頻微波器件

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