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聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN
HEMT
s器件研制成功
評論 ?
2024-01-24 17:49
北京大學(xué)申請高動態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN
HEMT
的動態(tài)穩(wěn)定性
評論 ?
2024-01-17 10:07
性能位居前列！ 芯生代科技發(fā)布面向
HEMT
功率器件的 850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品
評論 ?
2023-11-13 10:33
CASICON西安前瞻| 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連:GaN功率型HBT與毫米波
HEMT
研究進展
評論 ?
2023-07-23 14:48
CASA發(fā)布《分立GaN
HEMT
功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告
評論 ?
2022-12-09 16:50
東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN
HEMT
功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告已形成委員會草案
評論 ?
2022-11-21 15:29
標(biāo)準(zhǔn) | CASA立項《射頻GaN
HEMT
結(jié)構(gòu)的遷移率非接觸霍爾測量方法》等5項團體標(biāo)準(zhǔn)
評論 ?
2022-11-21 15:27
東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN
HEMT
功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告已形成委員會草案
評論 ?
2022-11-11 15:26
東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN
HEMT
功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見
評論 ?
2022-10-17 17:17
東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN
HEMT
功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見
評論 ?
2022-10-08 15:10
芯導(dǎo)科技：第三代半導(dǎo)體650VGaN
HEMT
產(chǎn)品預(yù)計今年可實現(xiàn)量產(chǎn)
評論 ?
2022-09-27 17:05
深圳大學(xué)劉新科研究員團隊研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極
HEMT
評論 ?
2022-09-22 08:56
東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN
HEMT
功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見
評論 ?
2022-09-19 17:45
技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強型氮化鎵
HEMT
s
評論 ?
2022-09-15 17:03
Wolfspeed：GaN
HEMT
大信號模型
評論 ?
2022-08-23 10:55
標(biāo)準(zhǔn) | 電子五所牽頭的T/CASAS 005《用于硬開關(guān)電路的GaN
HEMT
動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》形成委員會草案
評論 ?
2022-07-20 15:48
ROHM確立柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN
HEMT
的量產(chǎn)體制
評論 ?
2022-04-11 16:58
河北半導(dǎo)體研究所高楠：國產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN
HEMT
材料
評論 ?
2021-12-23 16:16
西電張進成教授團隊最新成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪娦虯lGaN/GaN
HEMT
s
評論 ?
2021-12-22 16:28
中科院半導(dǎo)體研究所張連：亞毫米波段GaN基
HEMT
與選區(qū)外延技術(shù)研究
評論 ?
2021-12-14 14:47
韓國Wavice Inc首席技術(shù)官Sangmin LEE：i-line步進器實現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN
HEMT
器件的性能和可靠性
評論 ?
2021-12-14 14:39
中國科技大學(xué)Alsaman A. amgad：
HEMT
器件通道內(nèi)2DEG電荷的空間非均勻性
評論 ?
2021-12-14 14:34
西交利物浦大學(xué)王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的單片比較器用于高溫應(yīng)用的MIS-
HEMT
評論 ?
2021-12-13 11:47
電子科技大學(xué)李曦：GaN
HEMT
功率器件的熱瞬態(tài)測試方法與機理研究
評論 ?
2021-12-13 11:29
IFWS 2021前瞻：中科院半導(dǎo)體研究所副所長張韻將出席射頻電子器件與應(yīng)用論壇
中科院
半導(dǎo)體研究所
副所長
張韻
亞毫米波段
GaN基
HEMT
評論 ?
2021-11-22 15:53
【CASICON 2021】南京大學(xué)徐尉宗：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN
HEMT
增強型器件技術(shù)
評論 ?
2021-09-18 14:00
【CASICON 2021】南京郵電大學(xué)張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的AlGaN/GaN
HEMT
反向特性表征技術(shù)
評論 ?
2021-09-16 14:54
【CASICON 2021】美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊:SiC MOSFET和GaN
HEMT
在過壓開關(guān)中的魯棒性
評論 ?
2021-09-16 11:56
【CASICON 2021】西交利物浦大學(xué)劉雯：硅基GaN MIS-
HEMT
單片集成技術(shù)
評論 ?
2021-09-16 11:29
【CASICON 2021】中國電科首席科學(xué)家陳堂勝：低溫鍵合金剛石GaN
HEMT
微波功率器件
評論 ?
2021-09-14 09:51
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