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王蓉：半導體碳化硅材料中位錯的基本性質(zhì)研究

視頻WBSC 20212025-07-01 16:28

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稿件投訴

《半導體碳化硅材料中位錯的基本性質(zhì)研究》作者王蓉，李佳君，羅昊，楊德仁，皮孝東單位：浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心，浙江大學硅材料國家重點實驗室和材料科學與工程學院

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