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等離子體輔助分子束外延生長AlN薄膜AlN epilayers grown by plasma assisted molecular beam epitaxy劉歡南京大學LIU HuanNanjing University

MgO（100）上生長柱狀納米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高靈敏度日盲探測器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大學教授HE YunbinProfessor of Hubei University

面向柔性和垂直電子器件的外延氧化鎵薄膜Epitaxial Ga2O3 thin film membrane for flexible and vertical electronics李曉航沙特阿卜杜拉國王科技大學副教授（陸義代講）LI XiaohangAssociate Professor at King Abdullah University of ScienceTechnology

利用AlN傳導層在GaN襯底上外延生長金剛石薄膜及其熱傳輸特性Thermal dissipation from GaN to diamond with AlN conduction layer桑立雯日本國立物質材料研究所獨立研究員SANG LiwenIndependent Scientist of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan

中科院半導體所張翔帶來了關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領域的研究動態(tài)以及研究成果。

西安交通大學副教授李強做了題為射頻濺射技術制備h-BN薄膜的制作與應用的主題報告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質，以及hBN膜的應用，包括電阻開關行為等內容。 報告指出，所制備的hBN膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVA波段實現高反射。首先在Ag / hBN / Al結構中觀察到通過濺射制備的hBN膜的RS行為。摻鋁氮化硼薄膜的RS窗口明顯增加。

鄭州大學教授劉玉懷做了題為氮化鋁/藍寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機金屬氣相外延研究的報告，介紹了多層h-BN膜的表面和結晶度、微觀結構和鍵合結構。h-BN在AlN上的生長模型等研究內容。研究成功證明了通過脈沖模式MOVPE在AlN模板上直接生長單晶多層h-BN，在AlN表面上形成連續(xù)和聚結的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長模型，然后在AlN上進行h-BN的二維橫向生長。