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沈波：高質(zhì)量 AlN 單
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沈波：高質(zhì)量 AlN 單
《高質(zhì)量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備》沈波教授北京大學(xué)
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limit2022-01-11 17:23
陸文強(qiáng)：一維ZnGa2O4
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陸文強(qiáng)：一維ZnGa2O4
《一維ZnGa2O4納米線網(wǎng)薄膜材料橫向制備及其光電響應(yīng)研究》作者：吳雨桐，張昆，馮雙龍，陸文強(qiáng)單位：中國(guó)科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院
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limit2022-01-07 15:02
湯瀟：全溶液法沉積柔
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湯瀟：全溶液法沉積柔
《全溶液法沉積柔性摻雜可調(diào)控氧化鎵薄膜光電器件的研究》作者：湯瀟，李曉航單位：Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia
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limit2022-01-07 14:57
何云斌：ZnO多元合金
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何云斌：ZnO多元合金
《ZnO多元合金薄膜外延生長(zhǎng)、帶隙調(diào)控及其紫外光電探測(cè)器研究》作者：何云斌，黎明鍇，盧寅梅，張騰，陳劍，劉洋，郭紫曼，汪洋單位：湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 10:19
張濤：MOCVD異質(zhì)外延G
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張濤：MOCVD異質(zhì)外延G
《MOCVD異質(zhì)外延Ga2O3薄膜及其相變的研究》作者：張濤，胡志國(guó)，程倩，馮倩，張雅超，張進(jìn)成單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院
8000
limit2022-01-06 11:39
李悅文：亞穩(wěn)相正交結(jié)
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李悅文：亞穩(wěn)相正交結(jié)
《亞穩(wěn)相正交結(jié)構(gòu)-Ga2O3薄膜的異質(zhì)外延研究》作者：李悅文，修向前，許萬(wàn)里，施佳城，朱宇霞，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-06 11:09
余燁：面向長(zhǎng)波長(zhǎng)LED
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余燁：面向長(zhǎng)波長(zhǎng)LED
《面向長(zhǎng)波長(zhǎng)LED應(yīng)用的石墨烯/SiC襯底上應(yīng)變弛豫GaN薄膜的外延生長(zhǎng)研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強(qiáng)，張寶林，張?jiān)礉龁挝唬杭执髮W(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-06 10:56
張文瑞：介穩(wěn)態(tài)氧化鎵
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張文瑞：介穩(wěn)態(tài)氧化鎵
《介穩(wěn)態(tài)氧化鎵薄膜的外延生長(zhǎng)與異質(zhì)集成》作者：張文瑞單位：中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
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limit2022-01-06 10:26
李強(qiáng)：hBN薄膜的磁控
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李強(qiáng)：hBN薄膜的磁控
《hBN薄膜的磁控濺射制備及器件應(yīng)用》作者：李強(qiáng)，張啟凡，張浩然，王茗迪，云峰單位：西安交通大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
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limit2022-01-06 10:12
李思哲：用于Micro LE
2570
李思哲：用于Micro LE
《用于Micro LED驅(qū)動(dòng)的ZnO短溝道薄膜晶體管》作者：李思哲，陳雪，吳昊，劉昌單位：武漢大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)教育部
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limit2022-01-05 13:24
余佳東：等離子體密度
2650
余佳東：等離子體密度
《等離子體密度對(duì)ICP-MOCVD生長(zhǎng)GaN薄膜的影響》作者：余佳東，羅毅，王健，張子軒，李翔，汪萊，郝智彪單位：北京信息科學(xué)與技術(shù)
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limit2022-01-05 11:25
陳荔：基于高溫?zé)嵬嘶?/p>
2190
陳荔：基于高溫?zé)嵬嘶?/a>
《基于高溫?zé)嵬嘶鸺夹g(shù)的半極性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陳荔，郭煒，林偉，陳航洋，康俊勇，葉繼春?jiǎn)挝唬褐袊?guó)科學(xué)院寧波
21900
limit2022-01-05 11:02
魏同波：石墨烯驅(qū)動(dòng)的
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魏同波：石墨烯驅(qū)動(dòng)的
《石墨烯驅(qū)動(dòng)的應(yīng)力工程實(shí)現(xiàn)用于深紫外LED的無(wú)應(yīng)變AlN薄膜的高質(zhì)量外延》作者：常洪亮，魏同波，王軍喜，李晉閩單位：中國(guó)科學(xué)院
16800
limit2022-01-05 10:53

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