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  • 劉紅輝：光照下AlGaN/
    《光照下AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)溝道中載流子的輸運(yùn)過(guò)程研究》柳月波，劉紅輝，邢潔瑩，姚婉青，戴雅瓊，楊隆坤，王風(fēng)格，任遠(yuǎn)，沈俊宇，張敏杰，作者：吳志盛，劉揚(yáng)，張佰君單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院
    17000
    limit2022-01-07 13:47
  • 劉少煜：一種通過(guò)提高
    《一種通過(guò)提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法》作者：劉少煜，程新紅，鄭理，劉曉博，俞躍輝單位：中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
    33500
    limit2022-01-07 13:35
  • 鄭偉：4H-SiC、GaN和
    《4H-SiC、GaN和-Ga2O3巴利加優(yōu)值的巨量退化》作者：程璐，鄭偉單位：中山大學(xué)材料學(xué)院，國(guó)家光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    34300
    limit2022-01-07 13:32
  • 李忠輝：新型Al(Ga)N/
    《新型Al(Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)外延材料研究》作者：李忠輝，彭大青，張東國(guó)，李傳皓，楊乾坤，羅偉科，董遜，李亮單位：南京電子器件研究所，微波毫米波單片集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    21700
    limit2022-01-07 11:15
  • 李天義：SiC紫外單光
    《SiC紫外單光子探測(cè)器及其成像陣列的器件物理與性能表征研究》作者：李天義，蘇琳琳，周東，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    17800
    limit2022-01-07 10:26
  • 劉興華：基于牛眼結(jié)構(gòu)
    《基于牛眼結(jié)構(gòu)微腔的碳化硅單光子發(fā)射》作者：劉興華，劉澤森，任芳芳，徐尉宗，周東，葉建東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)深圳研究院，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    11500
    limit2022-01-07 10:24
  • 楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
    《碳化硅(4H-SiC)紫外光電探測(cè)器研究現(xiàn)狀》作者：楊偉鋒，吳正云單位：廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院（國(guó)家示范性微電子學(xué)院）微電子與集成電路系，廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院物理系
    37500
    limit2022-01-07 10:23
  • 何云斌：ZnO多元合金
    《ZnO多元合金薄膜外延生長(zhǎng)、帶隙調(diào)控及其紫外光電探測(cè)器研究》作者：何云斌，黎明鍇，盧寅梅，張騰，陳劍，劉洋，郭紫曼，汪洋單位：湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
    17600
    limit2022-01-07 10:19
  • 陳敦軍：高增益AlGaN
    《高增益AlGaN基異質(zhì)結(jié)紫外光電探測(cè)器及其能帶的調(diào)控》作者：陳敦軍，游海帆，王海萍，蔡青，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    7300
    limit2022-01-07 08:59
  • 詹騰：金屬氧化物/AlG
    《金屬氧化物/AlGaN/GaN基多異質(zhì)結(jié)深紫外光電探測(cè)器》作者：詹騰，孫劍文，伊?xí)匝?，李晉閩單位：中國(guó)科學(xué)半導(dǎo)體研究所、清華大學(xué)
    15000
    limit2022-01-07 08:57
  • 汪丹浩：基于寬禁帶鋁
    《基于寬禁帶鋁鎵氮納米線的新型紫外光電化學(xué)光探測(cè)器研究進(jìn)展》作者：汪丹浩，孫海定，龍世兵單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院
    12600
    limit2022-01-07 08:55
  • 路慧敏：基于智能算法
    《基于智能算法的深紫外LED效率研究方法》作者：路慧敏，李子正，朱一帆，馮麗雅，于彤軍，王建萍單位：北京科技大學(xué)計(jì)算機(jī)與通信工程學(xué)院，北京大學(xué)物理學(xué)院
    7800
    limit2022-01-07 08:51
  • 蔡端?。簹湓貙?duì)深紫
    《氫元素對(duì)深紫外材料和器件的害處》作者：蔡端俊，盧詩(shī)強(qiáng)，鐘志白，郭斌，陳小紅，黃生榮，李書平，June Key Lee，康俊勇單位：廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
    32900
    limit2022-01-06 11:45
  • 閆建昌：AlGaN基紫外L
    《AlGaN基紫外LED材料和量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)研究進(jìn)展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
    33600
    limit2022-01-06 11:41
  • 張濤：MOCVD異質(zhì)外延G
    《MOCVD異質(zhì)外延Ga2O3薄膜及其相變的研究》作者：張濤，胡志國(guó)，程倩，馮倩，張雅超，張進(jìn)成單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院
    8000
    limit2022-01-06 11:39
  • 李悅文：亞穩(wěn)相正交結(jié)
    《亞穩(wěn)相正交結(jié)構(gòu)-Ga2O3薄膜的異質(zhì)外延研究》作者：李悅文，修向前，許萬(wàn)里，施佳城，朱宇霞，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    22100
    limit2022-01-06 11:09
  • 金雷:PVT法AlN單晶生
    《PVT法AlN單晶生長(zhǎng)機(jī)理研究》作者：金雷，武紅磊，程紅娟，覃佐燕單位：深圳大學(xué)，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
    19900
    limit2022-01-06 11:07
  • 張紀(jì)才：半極性AlN材
    《半極性AlN材料的HVPE生長(zhǎng)研究》作者：張紀(jì)才，孫茂松，李旭，劉婷單位：北京化工大學(xué)數(shù)理學(xué)院，廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院
    21100
    limit2022-01-06 11:04
  • 吳亮：PVT法同質(zhì)外延
    《PVT法同質(zhì)外延生長(zhǎng)高質(zhì)量2英寸Al極性AlN單晶研究》作者：李哲，張剛，雷丹，黃嘉麗，付丹揚(yáng)，王琦琨，吳亮單位：奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司
    22900
    limit2022-01-06 11:02
  • 余燁：面向長(zhǎng)波長(zhǎng)LED
    《面向長(zhǎng)波長(zhǎng)LED應(yīng)用的石墨烯/SiC襯底上應(yīng)變弛豫GaN薄膜的外延生長(zhǎng)研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強(qiáng)，張寶林，張?jiān)礉龁挝唬杭执髮W(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    17700
    limit2022-01-06 10:56
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