黃洪:單晶氧化鎵深紫
3140
黎明鍇:基于二氧化錫
2380
吳征遠(yuǎn):極高響應(yīng)度與
1870
程其進(jìn):氧化鎵基日盲
2520
劉增:Strategies of
2180
龍世兵:超寬禁帶氧化
3430
朱昱豪:基于氮化鎵金
3050
汪洋:半導(dǎo)體用SiC涂
1660
皮孝東:半導(dǎo)體碳化硅
1520
袁昊:萬伏級4H-SiC基
2190
陸海:面向復(fù)雜電氣應(yīng)
4470
化夢媛:常關(guān)型 GaN P
馬騁:硅基氮化鎵外延
2550
朱廣潤:微波毫米波器
2330
劉建勛:大尺寸硅基Ga
2800
馬曉華:面向終端應(yīng)用
馮志紅:氮化鎵高功率
3850
蔣迪:金屬雙面鏡高性
1710
梁鋒:GaN基大功率藍(lán)
1170
劉建平:大功率氮化鎵
4050