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《高質(zhì)量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備》沈波 教授 北京大學(xué)

《室溫1.04 mA/cm2峰值電流密度AlN/GaN雙勢壘共振隧穿二極管》作者：張赫朋，薛軍帥，張進成，郝躍單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院

《PVT法AlN單晶生長機理研究》作者：金雷，武紅磊，程紅娟，覃佐燕單位：深圳大學(xué)，中國電子科技集團公司第四十六研究所

《半極性AlN材料的HVPE生長研究》作者：張紀才，孫茂松，李旭，劉婷單位：北京化工大學(xué)數(shù)理學(xué)院，廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院

《PVT法同質(zhì)外延生長高質(zhì)量2英寸Al極性AlN單晶研究》作者：李哲，張剛，雷丹，黃嘉麗，付丹揚，王琦琨，吳亮單位：奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司

Atomic layer deposition of AlN on 4H-SiCAuthor: Feng Zhang, Zhanwei Shen, Jun ChenInstitute: Xiamen University, Institut

《濺射中痕量氧氣對高溫退火AlN模板的極性調(diào)節(jié)作用》作者：劉志彬，郭亞楠，閆建昌，曾一平，李晉閩，王軍喜單位：中國科學(xué)院半

The preparation of low-cost and 4 inch AlN template for high performance UVC-LEDAuthor: Ye Yuan, Shangfeng Liu, Lijie Hu

《石墨烯驅(qū)動的應(yīng)力工程實現(xiàn)用于深紫外LED的無應(yīng)變AlN薄膜的高質(zhì)量外延》作者：常洪亮，魏同波，王軍喜，李晉閩單位：中國科學(xué)院

《AlN基寬禁帶半導(dǎo)體缺陷調(diào)控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學(xué)院長春光機所、中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導(dǎo)體缺陷調(diào)控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學(xué)院長春光機所、中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導(dǎo)體