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當前，人們對于綠色、環(huán)保、安全的重視度在不斷的提高，隨著全球化加速發(fā)展，公共衛(wèi)生風險對人口流動和經(jīng)濟活動造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突發(fā)公共衛(wèi)生風險的重要性不言而喻?；诘谌雽w氮化鎵材料的紫外LED光源具有節(jié)能環(huán)保、壽命長、開啟速度快、輻射強度可控、光譜可定制等優(yōu)勢，成為維護公共衛(wèi)生安全的重要力量。紫外LED是半導體光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新藍海，雙碳戰(zhàn)略也給包括紫外LED產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的綠色環(huán)保節(jié)能產(chǎn)

第三代半導體材料在不同領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，其中，LED可以說是其第一個較成熟的應(yīng)用突破口，伴隨著元宇宙等新時代的展開，Micro-LED顯示應(yīng)用又迎來了一波新的發(fā)展機遇，作為應(yīng)用的支撐，技術(shù)的發(fā)展水平非常重要。張榮教授分享了其帶領(lǐng)的團隊在氮化物半導體基顯示技術(shù)方面的最新研究及成果。報告結(jié)合Micro-LED的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，從外延結(jié)構(gòu)設(shè)計、芯片制備、全彩化方案、系統(tǒng)集成、納米LED等方面詳細分享了團隊最新的多個研究發(fā)現(xiàn)和研究

常見的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長氮化鎵外延層制作成半導體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結(jié)合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生

以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導體主要通過異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來制備。由此導致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結(jié)合氮化物半導體面臨的大失配外延生長問題、詳細分

主題對話環(huán)節(jié)，北京大學沈波教授主持下，中科院半導體所研究員趙德剛，中微半導體公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，清華大學長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學教授陳鵬，中科院長春光機所研究員孫曉娟，南京大學教授陸海，江南大學教授敖金平，中國科學技術(shù)大學微電子學院執(zhí)行院長、教授龍世兵，浙江大學研究員、電力電子技術(shù)研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學界、業(yè)界中青代骨干

勢壘可調(diào)、位錯免疫凹槽陽極氮化鎵肖特基二極管研究張進成*，黨魁，周弘，張濤，趙勝雷，毛維，郝躍西安電子科技大學

基于帶狀氮化鋁晶體真空紫外探測器研究范澤龍，武紅磊，孫振華深圳大學

面向氮化物全彩顯示的InGaN基紅光Mini/Micro-LED研究陳兆營，盛博文，劉放，李鐸，袁澤興，葛惟昆，沈波，梁文驥，趙春雷，閆龍，Jason Hoo，郭世平，王新強*北京大學