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中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所高級(jí)工程師宋昌斌分享了《水產(chǎn)養(yǎng)殖業(yè)LED光源選擇的建議》主題報(bào)告。他詳細(xì)闡述了LED光源對(duì)循環(huán)水養(yǎng)殖系統(tǒng)

《長(zhǎng)治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（2019-2023）》（下稱規(guī)劃）正式發(fā)布?！兑?guī)劃》結(jié)合當(dāng)前節(jié)能環(huán)保紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

2018年10月23日下午，第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）開幕大會(huì)在深圳會(huì)展中心隆重召開。大會(huì)以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來(lái)自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明，第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍

第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇盛大召開

極智報(bào)告|浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)盛況分享《第三代半導(dǎo)體支撐交通強(qiáng)國(guó)建設(shè)》主題報(bào)告。請(qǐng)您點(diǎn)擊頁(yè)面頂端下載極智頭條APP，更多精彩學(xué)術(shù)報(bào)告免費(fèi)看！

極智報(bào)告：特邀國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟產(chǎn)業(yè)研究院院長(zhǎng)郝建群分享《半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)十三五發(fā)展規(guī)劃與LED智慧照明發(fā)展》主題報(bào)告。

本期嘉賓無(wú)錫邑文電子科技有限公司總經(jīng)理廖海濤為大家?guī)?lái)《半導(dǎo)體裝備主題報(bào)告（一）半導(dǎo)體二手裝備市場(chǎng)評(píng)估與翻新標(biāo)準(zhǔn)化》

2012年6月18日，中共中央政治局常委、國(guó)務(wù)院副總理李克強(qiáng)到中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所考察。了解半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品研發(fā)和創(chuàng)新情況。

中國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng)成立于2004年10月，是國(guó)家半導(dǎo)體照明工程唯一的網(wǎng)上信息門戶。網(wǎng)站自創(chuàng)建以來(lái)，一直以服務(wù)產(chǎn)業(yè)、引領(lǐng)行業(yè)、傳遞聲音的為自己的使命，伴隨著行業(yè)企業(yè)、LED人的成長(zhǎng)，見證了整個(gè)中國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)歷程。在國(guó)家半導(dǎo)體照明工程協(xié)調(diào)領(lǐng)導(dǎo)小組辦公室指導(dǎo)和成員單位的大力支持下，經(jīng)過(guò)十幾年的發(fā)展，中國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng)已成為行業(yè)最權(quán)威的綜合性服務(wù)平臺(tái)。 China Solid State Lighting (www.china-led.net), established in October 2004,

唐國(guó)慶：半導(dǎo)體照明發(fā)展空間很大，企業(yè)要憑自身勢(shì)力贏得競(jìng)爭(zhēng)

國(guó)際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟主席、科技部原副部長(zhǎng)曹健林首先帶來(lái)了題為“不忘初心，砥礪奮進(jìn)，擁抱第三代半導(dǎo)體新時(shí)代”的重要報(bào)告，高屋建瓴，從全球視角分析了當(dāng)前第三代半導(dǎo)體發(fā)展的時(shí)代背景，面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，為我們展現(xiàn)了第三代半導(dǎo)體當(dāng)前的發(fā)展?fàn)顩r以及前沿趨勢(shì)信息。

極智報(bào)告推薦：中科院電工所研究員溫旭輝分享的《半導(dǎo)體功率模塊在新能源汽車中應(yīng)用》主題報(bào)告。更多精彩報(bào)告，請(qǐng)點(diǎn)擊頁(yè)面頂端下載極智頭條APP，海量專業(yè)學(xué)術(shù)報(bào)告任性看！

對(duì)話主題：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與交通融合發(fā)展 對(duì)話嘉賓（從左往右順序）：精進(jìn)電動(dòng)科技股份有限公司創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官蔡蔚、浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)盛況、國(guó)家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心籌備組組長(zhǎng)原誠(chéng)寅、科技部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司原司長(zhǎng)趙玉海、軌道交通控制與安全國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室首席教授賈利民、國(guó)家高速列車技術(shù)創(chuàng)新中心主任劉保明、中車長(zhǎng)春軌道客車股份有限公司副總工程師常振臣。 更多精彩報(bào)告，請(qǐng)點(diǎn)擊頁(yè)面頂端下載極智頭條APP，海量專業(yè)學(xué)術(shù)報(bào)告免費(fèi)看，任性看！

中科院半導(dǎo)體研究所的研究員總工程師伊?xí)匝喾窒砹恕暗锛{米線可控生長(zhǎng)與器件應(yīng)用展望”主題報(bào)告。 她表示，目前從芯片發(fā)展趨勢(shì)技術(shù)上來(lái)看，一個(gè)是性能的提升，可以用納米線的新的結(jié)構(gòu)形式去考慮，從器件的結(jié)構(gòu)上怎么樣提高性能。第二個(gè)芯片發(fā)展到這個(gè)階段，將來(lái)的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應(yīng)用空間，從應(yīng)用的角度可以提出來(lái)對(duì)芯片的要求，我們可以根據(jù)應(yīng)用設(shè)計(jì)出來(lái)全新結(jié)構(gòu)的芯片結(jié)構(gòu)形式，現(xiàn)在提的比較多的農(nóng)業(yè)、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關(guān)注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員楊華在介紹了照明與顯示技術(shù)的集成框架研究報(bào)告。他表示，技術(shù)、成本和應(yīng)用場(chǎng)景是照明與現(xiàn)實(shí)技術(shù)融合的關(guān)鍵因素。通過(guò)對(duì)光源技術(shù)發(fā)展的分析目前主要的照明技術(shù)與顯示技術(shù)的基本架構(gòu)、控制難度和成本組成。給出了照明與現(xiàn)實(shí)技術(shù)融合的技術(shù)與成本條件。同時(shí)對(duì)照明與現(xiàn)實(shí)技術(shù)融合的應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行了分類分析。 　　照明和顯示的融合是隨著燈具技術(shù)適應(yīng)更多樣化的需求以及顯示控制技術(shù)成本的降低，使得產(chǎn)品既能提供一定顯示功能，同時(shí)也能夠提供照明功能技術(shù)趨勢(shì)，它主要涉及到的技術(shù)內(nèi)容可能包括廉價(jià)怎么降低成本

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所梁萌分享了“二位緩沖層氮化物異質(zhì)外延”研究報(bào)告；他介紹說(shuō)，石墨烯緩沖層氮化物異質(zhì)外延，初步實(shí)現(xiàn)了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯邊界與Bridge site，將優(yōu)先成核位置。我們?cè)谑┥蟻?lái)進(jìn)行一個(gè)類似納米柱上的生長(zhǎng)，做了一些研究，通過(guò)調(diào)整晶核生長(zhǎng)得到納米柱的結(jié)構(gòu)，在圖形化的襯底上也長(zhǎng)出來(lái)一些趨向比較一致的石墨烯的納米柱，但是這根趨向一致性主要是硅的襯底，因?yàn)槭┦菃渭兊牟牧希┥L(zhǎng)會(huì)受到襯底的影響，所以硅是單層多層，單層的話趨向是非常一致的，層數(shù)變多會(huì)有一定的紊亂，加氮受到襯底的

河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室高級(jí)工程師王晶晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管的射頻功率性能評(píng)價(jià)的報(bào)告，結(jié)合相關(guān)的試驗(yàn)數(shù)據(jù)，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測(cè)試、以及利用MPCVD設(shè)備來(lái)進(jìn)行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實(shí)現(xiàn)它的P型構(gòu)造，基于金剛石等材料來(lái)制作金剛石射頻器件等研究成果。

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長(zhǎng)AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報(bào)告。 張連表示，GaN基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點(diǎn)，例如更高線性度，常關(guān)工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進(jìn)度緩慢。一個(gè)主要問(wèn)題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導(dǎo)電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來(lái)減輕基層的損害，但工作后沒(méi)有顯著的進(jìn)步。最常見的因素之一是難以獲得高質(zhì)量的選擇性區(qū)域再生長(zhǎng)基底層和發(fā)射極層。通過(guò)使用選擇

該視頻為：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中國(guó)科學(xué)院大學(xué)崗位教授趙麗霞，主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學(xué)術(shù)報(bào)告。