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對話爍科晶體總經(jīng)理李
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對話爍科晶體總經(jīng)理李
【芯友薈】對話爍科晶體總經(jīng)理李斌,解鎖爍科晶體核心競爭力及大尺寸碳化硅襯底最新技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展思考!
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guansheng
2025-03-28 16:45
【視頻報告 2018】P.S
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【視頻報告 2018】P.S
高溫、高功率寬帶隙半導體要求掌握碳化硅(SiC)等材料的晶體生長過程。今天,SiC是通過氣相或液相法生長的,它包括下列過程:反應物的生成、反應物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進展》技術(shù)報告,報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術(shù)的最新進展。
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2021-04-29 12:25
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