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  • 陳凱：基于MPCVD法異
    《基于MPCVD法異質(zhì)外延生長(zhǎng)金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，廈門大學(xué)
    22000
    limit2022-01-07 14:59
  • 穆文祥：氧化鎵單晶生
    《氧化鎵單晶生長(zhǎng)與性能研究》作者：賈志泰，穆文祥，陶緒堂單位：山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    7900
    limit2022-01-07 14:58
  • 湯瀟：全溶液法沉積柔
    《全溶液法沉積柔性摻雜可調(diào)控氧化鎵薄膜光電器件的研究》作者：湯瀟，李曉航單位：Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia
    18400
    limit2022-01-07 14:57
  • 張逸韻：高溫氣氛退火
    《高溫氣氛退火對(duì)體材料單晶氧化鎵晶體質(zhì)量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學(xué)，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
    9300
    limit2022-01-07 14:21
  • 朱志甫：10BN中子探測(cè)
    《10BN中子探測(cè)材料生長(zhǎng)與器件制備》作者：朱志甫，王少堂，鄒繼軍，甘勇，湯彬單位：鄭州工程技術(shù)學(xué)院，東華理工大學(xué)
    10900
    limit2022-01-07 14:20
  • 張輝：氧化鎵晶體的生
    《氧化鎵晶體的生長(zhǎng)、缺陷及摻雜》作者：張輝，夏寧，劉瑩瑩，李成，楊德仁單位：浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心
    27400
    limit2022-01-07 14:18
  • 唐寧：氮化鎵量子阱中
    《氮化鎵量子阱中電子自旋弛豫性質(zhì)研究》作者：張仕雄，唐寧，劉星辰，張曉玥，付雷，張?jiān)品v，孫真昊，葛惟昆，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    18000
    limit2022-01-07 14:16
  • 徐童齡：基于NiO/β-
    《基于NiO/- Ga2O3異質(zhì)pn結(jié)的低漏電JBS二極管研究》作者：徐童齡，羅浩勛，鄧郁馨，陳梓敏，裴艷麗，盧星，王鋼單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    7200
    limit2022-01-07 13:50
  • 張亞民：基于脈沖信號(hào)
    《基于脈沖信號(hào)導(dǎo)通延遲的SiC MOSFET結(jié)溫檢測(cè)方法研究》作者：姜山，張亞民，馮士維，石幫兵單位：北京工業(yè)大學(xué)
    8900
    limit2022-01-07 13:49
  • 劉紅輝：光照下AlGaN/
    《光照下AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)溝道中載流子的輸運(yùn)過(guò)程研究》柳月波，劉紅輝，邢潔瑩，姚婉青，戴雅瓊，楊隆坤，王風(fēng)格，任遠(yuǎn)，沈俊宇，張敏杰，作者：吳志盛，劉揚(yáng)，張佰君單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院
    17000
    limit2022-01-07 13:47
  • 劉少煜：一種通過(guò)提高
    《一種通過(guò)提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法》作者：劉少煜，程新紅，鄭理，劉曉博，俞躍輝單位：中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
    33500
    limit2022-01-07 13:35
  • 鄭偉：4H-SiC、GaN和
    《4H-SiC、GaN和-Ga2O3巴利加優(yōu)值的巨量退化》作者：程璐，鄭偉單位：中山大學(xué)材料學(xué)院，國(guó)家光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    34300
    limit2022-01-07 13:32
  • 李忠輝：新型Al(Ga)N/
    《新型Al(Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)外延材料研究》作者：李忠輝，彭大青，張東國(guó)，李傳皓，楊乾坤，羅偉科，董遜，李亮單位：南京電子器件研究所，微波毫米波單片集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    21700
    limit2022-01-07 11:15
  • 李天義：SiC紫外單光
    《SiC紫外單光子探測(cè)器及其成像陣列的器件物理與性能表征研究》作者：李天義，蘇琳琳，周東，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    17800
    limit2022-01-07 10:26
  • 劉興華：基于牛眼結(jié)構(gòu)
    《基于牛眼結(jié)構(gòu)微腔的碳化硅單光子發(fā)射》作者：劉興華，劉澤森，任芳芳，徐尉宗，周東，葉建東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)深圳研究院，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    11500
    limit2022-01-07 10:24
  • 楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
    《碳化硅(4H-SiC)紫外光電探測(cè)器研究現(xiàn)狀》作者：楊偉鋒，吳正云單位：廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院（國(guó)家示范性微電子學(xué)院）微電子與集成電路系，廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院物理系
    37500
    limit2022-01-07 10:23
  • 何云斌：ZnO多元合金
    《ZnO多元合金薄膜外延生長(zhǎng)、帶隙調(diào)控及其紫外光電探測(cè)器研究》作者：何云斌，黎明鍇，盧寅梅，張騰，陳劍，劉洋，郭紫曼，汪洋單位：湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
    17600
    limit2022-01-07 10:19
  • 陳敦軍：高增益AlGaN
    《高增益AlGaN基異質(zhì)結(jié)紫外光電探測(cè)器及其能帶的調(diào)控》作者：陳敦軍，游海帆，王海萍，蔡青，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    7300
    limit2022-01-07 08:59
  • 詹騰：金屬氧化物/AlG
    《金屬氧化物/AlGaN/GaN基多異質(zhì)結(jié)深紫外光電探測(cè)器》作者：詹騰，孫劍文，伊?xí)匝啵顣x閩單位：中國(guó)科學(xué)半導(dǎo)體研究所、清華大學(xué)
    15000
    limit2022-01-07 08:57
  • 汪丹浩：基于寬禁帶鋁
    《基于寬禁帶鋁鎵氮納米線的新型紫外光電化學(xué)光探測(cè)器研究進(jìn)展》作者：汪丹浩，孫海定，龍世兵單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院
    12600
    limit2022-01-07 08:55
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